Zobrazeno 1 - 10
of 102
pro vyhledávání: '"Xiao-Qing Deng"'
Autor:
Hang Guo, Ting Fang, Ying Cheng, Ting Li, Jing-Ru Qu, Chao-fei Xu, Xiao-qing Deng, Bei Sun, Li-Ming Chen
Publikováno v:
Free Radical Biology and Medicine. 199:154-165
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d2fb5806889d46972b9745506f333695
https://doi.org/10.1016/j.freeradbiomed.2023.02.013
https://doi.org/10.1016/j.freeradbiomed.2023.02.013
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Computer Science and Technology. 37:1134-1145
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::566692c841f7e46d5eb743d26a2d9654
https://doi.org/10.1007/s11390-021-0572-0
https://doi.org/10.1007/s11390-021-0572-0
Autor:
Qian-Long Wu, Quan-Zhen Liu, Ying-Yun Xi, Xiao-Qing Deng, Tong-Shan Xu, Zi-Chun Xie, Jin-An Chen, Yi Yuan
Publikováno v:
Obesity Surgery.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::96169481d4468e497549c0167e507a79
https://doi.org/10.1007/s11695-023-06594-3
https://doi.org/10.1007/s11695-023-06594-3
Publikováno v:
Plasma Chemistry and Plasma Processing. 42:671-687
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::927f23e8cebdab4748ecc40a972a0a41
https://doi.org/10.1007/s11090-022-10231-9
https://doi.org/10.1007/s11090-022-10231-9
Publikováno v:
Journal of Materials Chemistry C. 9:12904-12919
Recently, a successfully fabricated H–VSe2 monolayer, behaving as a ferromagnetic (FM) bipolar magnetic semiconductor, has attracted intense research interest. Here, to enrich its magnetic properties and expand its realistic application scope, we s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c46e93f9c235b8525c8575435e87a151
https://doi.org/10.1039/d1tc02998c
https://doi.org/10.1039/d1tc02998c
Publikováno v:
RSC Advances. 11:21824-21831
Based on the first-principles method, we investigated the electronic properties of a BAs/arsenene (As) van der Waals (vdW) heterostructure and found that it has an intrinsic type-II band alignment with a direct band gap of 0.25 eV, which favors the s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1f759daf9877e442529ded3fa2b6b577
https://doi.org/10.1039/d1ra03606h
https://doi.org/10.1039/d1ra03606h
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
JOURNAL OF CHEMICAL ENGINEERING OF JAPAN. 53:296-303
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a1f95ec400ef698407e1bdc638fdf501
https://doi.org/10.1252/jcej.19we171
https://doi.org/10.1252/jcej.19we171
Publikováno v:
Physical Review B. 104
By using density functional theory and ab initio quantum-transport simulation, we study the Schottky barrier and the rectifying behavior of diodes consisting of the two-dimensional metal phase $1T\text{\ensuremath{-}}{\mathrm{MoS}}_{2}$ and semicondu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b77742d683873f08e6f2566292c2fa07
https://doi.org/10.1103/physrevb.104.045412
https://doi.org/10.1103/physrevb.104.045412