Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"Xia Yu-Xuan"'
Publikováno v:
Zeitschrift für Kristallographie - New Crystal Structures, Vol 239, Iss 3, Pp 443-445 (2024)
C39H36N5O11Tb, triclinic, P 1‾ $\overline{1}$ (no. 2), a = 10.3365(12) Å, b = 13.0194(15) Å, c = 15.2064(18) Å, α = 108.769(2)°, β = 94.694(2)°, γ = 100.882(2)°, V = 1880.2(4) Å3, Dc = 1.607 g/cm3, Z = 2, Rgt (F) = 0.0315, wRref (F 2) =
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b72840fe2873439081973706ada2b6a7
Publikováno v:
Zeitschrift für Kristallographie - New Crystal Structures, Vol 239, Iss 2, Pp 155-157 (2024)
C75H76N10O23Tb2, triclinic, P−1‾ $P-\overline{1}$ (no. 2), a = 10.4524(13) Å, b = 12.9626(16) Å, c = 15.2003(18) Å, α = 108.674(2)∘, β = 94.931(2)∘, γ = 101.617(2)∘, V = 1885.8(4) nm3, Z = 1, R gt(F) = 0.0236, wR ref(F 2) = 0.0584, T
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b0118cba07b147d0aea7b513932bc432
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Rare Metals; Aug2024, Vol. 43 Issue 8, p3460-3474, 15p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Zeitschrift fur Kristallographie - New Crystal Structures; June 2024, Vol. 239 Issue: 3 p443-445, 3p
Publikováno v:
Zeitschrift für Kristallographie / New Crystal Structures; Apr2024, Vol. 239 Issue 2, p155-157, 3p
Autor:
Zhang Bing-Xin, Lin Meng, An Xia, Zhang Hao, Xia Yu-Xuan, Zhang Xing, Wang Yangyuan, Li Ming, Liu Peng-Qiang, Yun Quan-Xin, Huang Ru, Li Zhiqiang
Publikováno v:
Chinese Physics B. 23:118504
Nitrogen plasma passivation (NPP) on (111) germanium (Ge) was studied in terms of the interface trap density, roughness, and interfacial layer thickness using plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The results show that NPP not only reduc
Autor:
Xia Yu-Xuan, Liu Peng-Qiang, Yun Quan-Xin, Wang Yangyuan, Zhang Hao, Zhang Xing, Huang Ru, Li Ming, An Xia, Zhang Bing-Xin, Lin Meng, Li Zhiqiang
Publikováno v:
Chinese Physics B. 23:118506
An extensive and complete experimental investigation with a full layout design of the channel direction was carried out for the first time to clarify the orientation dependence of germanium p-channel metal—oxide—semiconductor field-effect transis
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.