Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"XIAO ShiHai"'
Autor:
XIAO ShiHai, JIANG RenYan
Publikováno v:
Jixie qiangdu, Pp 620-625 (2023)
Since there are more systems to be observed on the sites and the observation time is shorter than the average life of the product, the life data actually collected is often heavily censored data. For such data, the classical parameter estimation meth
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/61b2182136364ead993e80ca92105779
Autor:
Tian, Bing, Liu, Haikun, Tang, Yuhang, Xiao, Shihai, Duan, Zhuohui, Liao, Xiaofei, Zhang, Xuecang, Zhu, Junhua, Zhang, Yu
Approximate nearest neighbor search (ANNS) has emerged as a crucial component of database and AI infrastructure. Ever-increasing vector datasets pose significant challenges in terms of performance, cost, and accuracy for ANNS services. None of modern
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2409.16576
Autor:
Ni, Jiongkang, Xu, Xiaoliang, Wang, Yuxiang, Li, Can, Yao, Jiajie, Xiao, Shihai, Zhang, Xuecang
Given a vector dataset $\mathcal{X}$ and a query vector $\vec{x}_q$, graph-based Approximate Nearest Neighbor Search (ANNS) aims to build a graph index $G$ and approximately return vectors with minimum distances to $\vec{x}_q$ by searching over $G$.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2310.00402
Lateral inhibitory connections have been observed in the cortex of the biological brain, and has been extensively studied in terms of its role in cognitive functions. However, in the vanilla version of backpropagation in deep learning, all gradients
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2208.06918
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Computer Architecture Letters. 17:151-154
STT-MRAM is a second generation MRAM technology that addresses many of the scaling problems of earlier generation magnetic RAMs, and is a promising candidate to replace DRAM due to its high operational speed, scalable energy characteristics, and high
Publikováno v:
IEEE Computer Architecture Letters. 17:139-142
Emerging non-volatile memories (NVMs) have drawn significant attention as potential DRAM replacements. STT-MRAM is one of the most promising NVMs due to its relatively low write energy, high speed, and high endurance. However, STT-MRAM suffers from i
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2015 USNC-URSI Radio Science Meeting (Joint with AP-S Symposium); 2015, p369-374, 6p