Zobrazeno 1 - 10
of 39
pro vyhledávání: '"XIA, ZB"'
Publikováno v:
IndraStra Global.
In this work, we demonstrate modulation-doped beta-(AlxGa1-x)(2)O-3/Ga2O3 double heterostructure field effect transistors. The maximum sheet carrier density for a two-dimensional electron gas (2DEG) in a beta-(AlxGa1-x)(2)O-3/Ga2O3 heterostructure is
Autor:
ZHANG, YW, NEAL, A, XIA, ZB, JOISHI, C, JOHNSON, JM, ZHENG, YH, BAJAJ, S, BRENNER, M, DORSEY, D, CHABAK, K, JESSEN, G, HWANG, J, MOU, S, HEREMANS, JP, RAJAN, S
Publikováno v:
IndraStra Global.
In this work, we demonstrate a high mobility two-dimensional electron gas (2DEG) formed at the beta-(AlxGa1-x)(2)O-3/Ga2O3 interface through modulation doping. Shubnikov-de Haas (SdH) oscillations were observed in the modulation-doped beta-(AlxGa1-x)
Autor:
JOISHI, C, RAFIQUE, S, XIA, ZB, HAN, L, KRISHNAMOORTHY, S, ZHANG, YW, LODHA, S, ZHAO, HP, RAJAN, S
Publikováno v:
IndraStra Global.
We report (010)-oriented beta-Ga2O3 bevel-field-plated mesa Schottky barrier diodes grown by low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) using a solid Ga precursor and O-2 and SiCl4 sources. Schottky diodes with good ideality and low reverse leaka
Publikováno v:
IndraStra Global.
We report on the effect of iron (Fe)-doped semi-insulating buffers on the electron transport and DC-RF dispersion in Si delta (delta)-doped beta-Ga2O3 metal-semiconductor field effect transistors. The effect of the distance between the 2-dimensional
Publikováno v:
IndraStra Global.
Threshold voltage instability was observed on beta-Ga2O3 transistors using double-pulsed current-voltage and constant drain current deep level transient spectroscopy (DLTS) measurements. A total instability of 0.78 V was attributed to two distinct tr
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.