Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"X.Z. Chai"'
Autor:
P. Chen, Pengde Han, B. Liu, Hua Xuemei, Tao Tao, L. Yu, Y.D. Zheng, S. Fan, Hong Zhao, X.L. He, Zili Xie, R. Zhang, X.L. Ji, Xiangqian Xiu, X.Z. Chai, J.L. Li, Zhiguo Li
Publikováno v:
Thin Solid Films. 662:168-173
Cubic silicon carbide (3C-SiC) has been grown on Si (111) substrate by chemical vapor deposition. The crystal quality of SiC with the SiCN buffer layer is obviously improved comparing with that grown on the SiC buffer layer. The SiCN film, composed o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3eb40a09d07fea886c5f37997cf0f691
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2018.08.001
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2018.08.001
Autor:
Hua Xuemei, Hong Zhao, X.Z. Chai, R. Zhang, X.L. He, Tao Tao, L. Yu, Peigao Han, S. Fan, Zhiguo Li, P. Chen, Bin Liu, Y.D. Zheng, Lei Huang, Xiangqian Xiu, Zili Xie
Publikováno v:
Thin Solid Films. 642:124-128
The SiCN film, which has the same crystal structure as 3C-SiC verified by X-ray diffraction and Raman scattering, has been formed on Si (111) substrate by constant-source diffusion using a chemical vapor deposition system. Via X-ray photoelectron spe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7a91a81efb2787caaa345c505f30ae55
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2017.09.034
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2017.09.034
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.