Zobrazeno 1 - 10
of 68
pro vyhledávání: '"X.P. Hao"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Runsheng Yu, Z.Z. Zhang, V.P. Shantarovich, P. L. Wang, Wang Bidou, Y. Ito, L. Wei, Takenori Suzuki, Yuzhu Ma, X.B. Qin, X.P. Hao
Publikováno v:
Applied Surface Science. 255:205-208
Depth-dependent positronium (Ps) formation and annihilation study of Co-60 γ-irradiated polyethylene and polytetrafluorethylene were performed. After 30-month aging, no free radicals effect on Ps formation was detected for the studied polymers. Effi
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 307:171-176
We report in this article a mechanism to form regularly zigzag branch of CsCl crystallites on a flat glass substrate, in which the crystallographic orientation rotates continuously, and a pattern with long-range order on tens of micrometer scale is g
Publikováno v:
Applied Surface Science. 253:6868-6871
In this experiment, nitrogen ions were implanted into CZ-silicon wafer at 100 keV at room temperature with the fluence of 5 × 1015 N2+/cm2, followed by rapid thermal processing (RTP) at different temperatures. The single detector Doppler broadening