Zobrazeno 1 - 10
of 775
pro vyhledávání: '"X.-J. Meng"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
B. B. Tian, J. L. Wang, S. Fusil, Y. Liu, X. L. Zhao, S. Sun, H. Shen, T. Lin, J. L. Sun, C. G. Duan, M. Bibes, A. Barthélémy, B. Dkhil, V. Garcia, X. J. Meng, J. H. Chu
Publikováno v:
Nature Communications, Vol 7, Iss 1, Pp 1-6 (2016)
Ferroelectric organic materials can be used for tunnel barriers in memory devices as a cheaper and eco-friendly replacement of their inorganic counterparts. Here, Tian et al. use poly(vinylidene fluoride) with 1–2 layer thickness to achieve giant t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2ee6601f124c451f8e59846a21af4207
Publikováno v:
Zhonghua lao dong wei sheng zhi ye bing za zhi = Zhonghua laodong weisheng zhiyebing zazhi = Chinese journal of industrial hygiene and occupational diseases. 40(11)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::d9110f83edeb2abb55ca761f1a9174b4
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/36510714
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/36510714
Autor:
J. H. Chu, Jihwan Hwang, X. J. Meng, X. D. Zhang, Y. Shi, X. T. Zhu, Wei Bai, Z. M. Huang, Myung-Hwa Jung, H. Z. Xing, Hyosang Kwon, Gwangseo Park, Sungmin Park, Tie Lin, Bog G. Kim, Daeyoung Kwon, Joonghoe Dho
Publikováno v:
Ferroelectrics. 583:264-277
It is generally believed that epitaxial thin films are subject to compressive strain by the nearest layer with a smaller lattice constant or to tensile strain by the nearest layer with a larger lat...
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9e9965c629cdcfba3e2430696074fb68
https://doi.org/10.1080/00150193.2021.1980342
https://doi.org/10.1080/00150193.2021.1980342
Publikováno v:
Ferroelectrics. 575:103-116
The polarization switching kinetics of ferroelectric crystals and the transition between homogeneous and domain switching in the nanoscale ferroelectric films are considered. Homogeneous switching ...
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1d8e61dbac4d4c6f904fc0757fe3ceed
https://doi.org/10.1080/00150193.2021.1888232
https://doi.org/10.1080/00150193.2021.1888232
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.