Zobrazeno 1 - 10
of 82
pro vyhledávání: '"X. N. Kang"'
Autor:
J. Lang, F. J. Xu, Y. H. Sun, N. Zhang, J. M. Wang, B. Y. Liu, L. B. Wang, N. Xie, X. Z. Fang, X. N. Kang, Z. X. Qin, X. L. Yang, X. Q. Wang, W. K. Ge, B. Shen
Publikováno v:
IEEE Photonics Journal, Vol 13, Iss 1, Pp 1-8 (2021)
Carrier velocity modulation by asymmetrical concave quantum barriers to improve the performance of AlGaN-based deep-ultraviolet light emitting diodes has been investigated. The concave structure is realized by inserting a low Al composition AlGaN lay
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b9c2f8fb4004422c8f36c6691197dd79
Publikováno v:
Acta Horticulturae. :187-192
This paper aims at improving the industrial processing quality and studying on the processing method of decreasing high spot rate and choosing optimal Hainan mango cultivars for the processing of mango puree. Mango cultivars of the 'Jinhuang', 'Parth
Autor:
M. D. Dawson, Guoyi Zhang, Robert W. Martin, X. N. Kang, E. Gu, Francesco Rizzi, I. M. Watson
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 25:252-260
The processing of N-polar GaN (0001 ¯) samples has been studied, motivated by applications in which extensive back side thinning of freestanding GaN (FS-GaN) substrates is required. Experiments were conducted on FS-GaN from two commercial sources, i
Publikováno v:
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. 213:012003
The aim of the present study was to discuss a new and effective method for testing artificial muscles based on micro-failure behaviors analysis. Thermo-mechanical actuators based on fishing line and sewing thread, also, the capability of responding t
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
X. N. Kang, Robert W. Martin, Erdan Gu, Fabrice Semond, Martin D. Dawson, K. Bejtka, Ian Watson, Francesco Rizzi, Guoyi Zhang, Paul R. Edwards
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 90:111112
Comparable microcavities with 3/2 (~240 nm) active regions containing distributed (In,Ga)N quantum wells, grown on GaN substrates and bounded by two dielectric mirrors, have been fabricated by two different routes: one using laser lift-off to process
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.