Zobrazeno 1 - 10
of 303
pro vyhledávání: '"X parameters"'
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 5, p 658 (2024)
During circuit conduction immunity simulation assessments, the existing black-box modeling methods for chips generally involve the use of time-domain-based modeling methods or ICIM-CI binary decision models, which can provide approximate immunity ass
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/398294344cc948a797f2939a76b032f7
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 10, Pp 127806-127816 (2022)
The nonlinear representation of active devices plays an important role in microwave circuit design. Whereas, it takes a long time to extract a large amount of large signal data, and the problem of memory resource and CPU occupancy becomes significant
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/08eb2998a1034608b0c11c9548c53618
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Известия высших учебных заведений России: Радиоэлектроника, Vol 0, Iss 5, Pp 69-72 (2016)
Performed a series of the X-parameters measurements of high-power S-band power amplifier. This method is the foundation to provide similar measurements and as result to obtain the behavioral model of power amplifier to further simulations in ADS. Thi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1e050736819c41149f99faded5e32a20
Publikováno v:
Proceedings of SIE 2022 ISBN: 9783031260650
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f8d7cbc1e4c177fde54be0d73af40bf6
https://hdl.handle.net/11583/2976568
https://hdl.handle.net/11583/2976568
Publikováno v:
IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs. 67:2372-2376
This brief presents the design process, fabrication, and measurement results of a 1-3 GHz, efficient, 90-watt power amplifier (PA). Our design method is based on the source-pull/load-pull and the X-parameter models of the transistor which were obtain
Publikováno v:
Microwave and Optical Technology Letters. 63:404-410
Publikováno v:
IEEE Microwave and Wireless Components Letters. 30:685-688
This letter demonstrates for the first time the usefulness of the X-parameters under 50- $\Omega $ load condition (conventional X-parameters) for simulating and designing RF feedback oscillator circuits. The measurement procedure to characterize a Ga
Publikováno v:
2022 International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits (INMMiC).