Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Wu Wang-Ran"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Acta Physica Sinica. 64:167305
With the continued device scaling and the introduction of new device structures, MOSFET reliability phenomena arising from the hot carrier injection (HCI) stress have received extensive attention from both the academia and the industry community. In
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lu Hong-Liang, Shi Yi, Sun Jia-Bao, Yang Zhou-Wei, Zhao Yi, Wu Wang-Ran, David Zhang Wei, Geng Yang, Ye Xiang-Dong
Publikováno v:
Chinese Physics B. 22:067701
Aluminum—oxide films deposited as gate dielectrics on germanium (Ge) by atomic layer deposition were post oxidized in an ozone atmosphere. No additional interfacial layer was detected by the high-resolution cross-sectional transmission electron mic
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sun Jia-Bao, Yang Zhou-Wei, Geng Yang, Lu Hong-Liang, Wu Wang-Ran, Ye Xiang-Dong, Zhang Wei, David, Shi Yi, Zhao Yi
Publikováno v:
Chinese Physics B; 2013, Vol. 22 Issue 6, p1-4, 4p