Zobrazeno 1 - 10
of 116
pro vyhledávání: '"Wu, Zhi Hao"'
Autor:
Wu, Yu-Yue, Wu, Zhi-Hao, Chen, Zuan-Yu, Peng, Li-Dong, Guan, Zi-Qi, Li, Yang, Cao, Cheng-Fei, Zhang, Guo-Dong, Gao, Jie-Feng, Song, Pingan, Shi, Yong-Qian, Tang, Long-Cheng
Publikováno v:
In Chemical Engineering Journal 15 July 2024 492
Autor:
Jin, Meng Jie, Wang, Zi Long, Wu, Zhi Hao, He, Xu Jiang, Zhang, Yong, Huang, Qiang, Zhang, Li Zhen, Wu, Xiao Bo, Yan, Wei Yu, Zeng, Zhi Jiang
Publikováno v:
In iScience 21 April 2023 26(4)
Publikováno v:
In Process Safety and Environmental Protection January 2023 169:285-292
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Qu, Yong-Xiang, Guo, Kun-Yu, Pan, Hong-Tao, Wu, Zhi-Hao, Guo, Bi-Fan, Feng, Xiao-Lan, Kong, Ting-Ting, Zhang, Chao, Zhang, Guo-Dong, Zhao, Li, Gong, Li-Xiu, Gao, Jie-Feng, Liu, Hai-Long, Mao, Zheng-Nan, Tang, Long-Cheng
Publikováno v:
In Materials Today Chemistry December 2022 26
Autor:
Yang, Ya-Ping, Jiang, Jun-Cheng, Huang, An-Chi, Tang, Yan, Liu, Ye-Cheng, Xie, Lin-Jie, Zhang, Chuan-Zhu, Wu, Zhi-hao, Xing, Zhi-Xiang, Yu, Fei
Publikováno v:
In Process Safety and Environmental Protection April 2022 160:80-90
Autor:
Wang, Cong-Cong, Liang, Chen, Li, Han-Ying, Huang, Huai-An, He, Liang-Liang, Liu, Cui-Ling, Wu, Zhi-Hao, Gui, Chun-Sheng, Ren, Ci, Wang, Yi-Hua, Yang, Hao-Yu, Zhong, Dan-Wen, Peng, Xiao-Qun, Fu, Cheng-Cheng, Xie, Xin-Ming, Chen, Shu
Publikováno v:
Plant Cell, Tissue & Organ Culture; Aug2024, Vol. 158 Issue 2, p1-13, 13p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wu, Zhi hao, 吳智豪
84
InSb, which has the narrowest band gap of the binary III-V compounds (0.23 eV at 77 K), has been an excellent material used for infared(IR) detector(operating at wavelengths in the 3~5 μm range). In addition, due to its high mobility and sat
InSb, which has the narrowest band gap of the binary III-V compounds (0.23 eV at 77 K), has been an excellent material used for infared(IR) detector(operating at wavelengths in the 3~5 μm range). In addition, due to its high mobility and sat
Externí odkaz:
http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/55223293968464394911
Publikováno v:
In International Journal of Thermal Sciences July 2018 129:254-265