Zobrazeno 1 - 10
of 276
pro vyhledávání: '"Write margin"'
Publikováno v:
Journal of Engineering Science and Technology, Vol 12, Iss 6, Pp 1525-1540 (2017)
Magnetic Tunnel Junction (MTJ) is a promising candidate for nonvolatile and low power memory design. MTJ is basic building block of STT-MRAM bitcell. We develop a Verilog-A based behavioral model of MTJ which effectively exhibits electrical character
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4ae42eb8be3744979ab2d9e14d5d2ab5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jong-Hoon Jung, Taejoong Song, Lee Inhak, Hoonki Kim, Woojin Rim, Hakchul Jung, Sanghoon Baek, Changnam Park
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 57:236-244
A 256-Mb gate-all-around (GAA) 6T SRAM is implemented in Samsung 3GAE EUV technology. Adaptive dual-bitline (ADBL) and adaptive cell-power (ACP) SRAM assist schemes are proposed to reduce SRAM ${V_{{MIN}}}$ . ADBL reduces the effective bitline (BL) r
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::13bf890d2ee1bfe6a9b1b79add19c3a3
https://doi.org/10.1109/jssc.2021.3123077
https://doi.org/10.1109/jssc.2021.3123077
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Poornima Mittal, Bhawna Rawat
Publikováno v:
International Journal of Circuit Theory and Applications. 49:1435-1449
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::feb75b47634bf25e2df72aa3eb7b843a
https://doi.org/10.1002/cta.2960
https://doi.org/10.1002/cta.2960
Autor:
P.V. Sridevi, Manoj Kumar R
Publikováno v:
International Journal of Electronics. 108:1652-1675
In the present era of diminishing technology nodes, stability and performance of SRAM cells deteriorate. To cope up with the above growing concerns, a new 11 T SRAM cell has been proposed which imp...
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::003b7d2e7c59be42d390d551dec4e3a9
https://doi.org/10.1080/00207217.2020.1870738
https://doi.org/10.1080/00207217.2020.1870738
Autor:
Vinay Tomar, Ashish Sachdeva
Publikováno v:
IET Circuits, Devices and Systems, Vol 15, Iss 1, Pp 42-64 (2021)
The need of genuine processors operation improvement cultivates the necessity for reliable, low power and fast memories. Several challenges follow this improvement at lower technology nodes. The impact of variability of process, temperature and volta
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::788f164cc7a85af43c4f9141b5891b4e
https://doi.org/10.1049/cds2.12006
https://doi.org/10.1049/cds2.12006