Výsledky vyhledávání - "Woodall, J. M."

Report

Is the `Finite Bias Anomaly' in planar GaAs-Superconductor junctons caused by point-contact like structures?

Autor: Chaudhuri, S., Bagwell, P. F., McInturff, D., Chang, J. C. P., Paak, S., Melloch, M. R., Woodall, J. M., Pekarek, T. M., Crooker, B. C.

We correlate transmission electron microscope (TEM) pictures of superconducting In contacts to an AlGaAs/GaAs heterojunction with differential conductance spectroscopy performed on the same heterojunction. Metals deposited onto a (100) AlGaAs/GaAs he

Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/cond-mat/9904241

Zobrazit plný text záznamu

Report

Ballistic Transport and Andreev Resonances in Nb-In Superconducting Contacts to InAs and LTG-GaAs

Autor: Rizk, T., Yulius, A., Yoo, W. I., Bagwell, P. F., McInturff, D., Chin, P., Woodall, J. M., Pekarek, T. M., Jackson, T. N.

We have formed superconducting contacts in which Cooper pairs incident from a thick In layer must move through a thin Nb layer to reach a semiconductor, either InAs or low temperature grown (LTG) GaAs. The effect of pair tunneling through the Nb laye

Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/cond-mat/9904212

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

The Continuing Drama of the Semiconductor Interface

Autor: Woodall, J. M., Kirchner, P. D., Freeouf, J. L., McInturff, D. T., Melloch, M. R., Pollak, F. H.

Publikováno v: Philosophical Transactions: Physical Sciences and Engineering, 1993 Sep . 344(1673), 521-532.

Externí odkaz: https://www.jstor.org/stable/54120

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Asymmetries in dislocation densities, surface morphology, and strain of GaInAs/GaAs single heterolayers.

Autor: Kavanagh, K. L., Capano, M. A., Hobbs, L. W., Barbour, J. C., Marée, P. M. J., Schaff, W., Mayer, J. W., Pettit, D., Woodall, J. M., Stroscio, J. A., Feenstra, R. M.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/15/1988, Vol. 64 Issue 10, p4843, 10p, 5 Black and White Photographs, 1 Diagram, 4 Charts, 5 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Structure and recombination in InGaAs/GaAs heterostructures.

Autor: Fitzgerald, E. A., Ast, D. G., Kirchner, P. D., Pettit, G. D., Woodall, J. M.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/1/1988, Vol. 63 Issue 3, p693, 11p, 8 Black and White Photographs, 1 Diagram, 1 Chart, 1 Graph

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Direct measurement of proton straggling in GaAlAs for nuclear profiling.

Autor: Bond, A. H., Parayanthal, P., Pollak, F. H., Woodall, J. M.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; May1984, Vol. 55 Issue 9, p3433-3436, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Contact reactions in Pd/GaAs junctions.

Autor: Olowolafe, J. O., Ho, P. S., Hovel, H. J., Lewis, J. E., Woodall, J. M.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; Feb1979, Vol. 50 Issue 2, p955-962, 8p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Indirect transitions, free and impurity-bound excitons in gallium phosphide: A revisit with...

Autor: Alawadhi, H., Vogelgesang, R., Ramdas, A. K., Chin, T. P., Woodall, J. M.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/1/1997, Vol. 82 Issue 9, p4331, 7p, 1 Chart, 11 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Electrical and structural properties of Be- and Si-doped low-temperature-grown GaAs.

Autor: Atique, N., Harmon, E. S, Chang, J. C. P., Woodall, J. M., Melloch, M. R., Otsuka, N.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/1995, Vol. 77 Issue 4, p1471, 6p, 2 Diagrams, 2 Charts, 5 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Microstructure characterization of Cu3Ge/n-type GaAs ohmic contacts.

Autor: Aboelfotoh, M. O., Oktyabrsky, S., Narayan, J., Woodall, J. M.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/15/1994, Vol. 76 Issue 10, p5760, 4p, 4 Black and White Photographs, 1 Graph

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání