Zobrazeno 1 - 10 of 257 pro vyhledávání: '"Woodall, J M"'
1
Report
Is the `Finite Bias Anomaly' in planar GaAs-Superconductor junctons caused by point-contact like structures?
Autor: Chaudhuri, S., Bagwell, P. F., McInturff, D., Chang, J. C. P., Paak, S., Melloch, M. R., Woodall, J. M., Pekarek, T. M., Crooker, B. C.
We correlate transmission electron microscope (TEM) pictures of superconducting In contacts to an AlGaAs/GaAs heterojunction with differential conductance spectroscopy performed on the same heterojunction. Metals deposited onto a (100) AlGaAs/GaAs he
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/cond-mat/9904241
Zobrazit plný text záznamu
2
Report
Ballistic Transport and Andreev Resonances in Nb-In Superconducting Contacts to InAs and LTG-GaAs
Autor: Rizk, T., Yulius, A., Yoo, W. I., Bagwell, P. F., McInturff, D., Chin, P., Woodall, J. M., Pekarek, T. M., Jackson, T. N.
We have formed superconducting contacts in which Cooper pairs incident from a thick In layer must move through a thin Nb layer to reach a semiconductor, either InAs or low temperature grown (LTG) GaAs. The effect of pair tunneling through the Nb laye
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/cond-mat/9904212
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
The Continuing Drama of the Semiconductor Interface
Autor: Woodall, J. M., Kirchner, P. D., Freeouf, J. L., McInturff, D. T., Melloch, M. R., Pollak, F. H.
Publikováno v: Philosophical Transactions: Physical Sciences and Engineering, 1993 Sep . 344(1673), 521-532.
Externí odkaz: https://www.jstor.org/stable/54120
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Structure and chemical composition of water-grown oxides of GaAs.
Autor: Liliental-Weber, Z., Wilmsen, C. W., Geib, K. M., Kirchner, P. D., Baker, J. M., Woodall, J. M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/1990, Vol. 67 Issue 4, p1863, 5p, 3 Black and White Photographs, 1 Chart, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Asymmetries in dislocation densities, surface morphology, and strain of GaInAs/GaAs single heterolayers.
Autor: Kavanagh, K. L., Capano, M. A., Hobbs, L. W., Barbour, J. C., Marée, P. M. J., Schaff, W., Mayer, J. W., Pettit, D., Woodall, J. M., Stroscio, J. A., Feenstra, R. M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/15/1988, Vol. 64 Issue 10, p4843, 10p, 5 Black and White Photographs, 1 Diagram, 4 Charts, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Structure and recombination in InGaAs/GaAs heterostructures.
Autor: Fitzgerald, E. A., Ast, D. G., Kirchner, P. D., Pettit, G. D., Woodall, J. M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/1/1988, Vol. 63 Issue 3, p693, 11p, 8 Black and White Photographs, 1 Diagram, 1 Chart, 1 Graph
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Direct measurement of proton straggling in GaAlAs for nuclear profiling.
Autor: Bond, A. H., Parayanthal, P., Pollak, F. H., Woodall, J. M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; May1984, Vol. 55 Issue 9, p3433-3436, 4p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Contact reactions in Pd/GaAs junctions.
Autor: Olowolafe, J. O., Ho, P. S., Hovel, H. J., Lewis, J. E., Woodall, J. M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Feb1979, Vol. 50 Issue 2, p955-962, 8p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Indirect transitions, free and impurity-bound excitons in gallium phosphide: A revisit with...
Autor: Alawadhi, H., Vogelgesang, R., Ramdas, A. K., Chin, T. P., Woodall, J. M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/1/1997, Vol. 82 Issue 9, p4331, 7p, 1 Chart, 11 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje