Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Wongwanitwattana, Chalermwat"'
Autor:
Wongwanitwattana, Chalermwat
The impact of the O2 content in SF6-O2 gas mixtures on the etch rate and sidewall profile of Silicon (Si), Germanium (Ge) and phosphorous doped Germanium (Ge:P) in reactive ion etching has been studied. The characteristics of etch rate and sidewall p
Externí odkaz:
http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.647984
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wongwanitwattana, Chalermwat, Shah, Vishal A., Myronov, Maksym, Parker, Evan H. C., Whall, Terry, Leadley, David R.
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; May/Jun2014, Vol. 32 Issue 3, p1-5, 5p
Autor:
Wongwanitwattana, Chalermwat
The impact of the O2 content in SF6-O2 gas mixtures on the etch rate and sidewall profile of Silicon (Si), Germanium (Ge) and phosphorous doped Germanium (Ge:P) in reactive ion etching has been studied. The characteristics of etch rate and sidewall p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::b637175c3b850e518f6cb1c44ec4daf2
http://wrap.warwick.ac.uk/67747/1/WRAP_Thesis_WONGWANITTANA_2014.pdf
http://wrap.warwick.ac.uk/67747/1/WRAP_Thesis_WONGWANITTANA_2014.pdf
Autor:
Wongwanitwattana, Chalermwat, Shah, Vishal Ajit, Myronov, Maksym, Parker, Evan H C, Whall, Terry E, Leadley, David R
Publikováno v:
ECS Transactions; March 2013, Vol. 50 Issue: 9