Zobrazeno 1 - 10
of 88
pro vyhledávání: '"Wolters, Rob"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2009 86(4):761-764
Autor:
Hut, Andrea, Arends, Marion, Edzes, Arjen, van Lieshout, Harm, Dunnik, Gealine, Kamminga, Geert, Ravenshorst, Wim, Wolters, Rob, Hof, J.W.G.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=narcis______::afcdee08bfc7f19f94d4231ea9fb936e
https://research.rug.nl/en/publications/9db6a81e-f77e-405a-99cb-c4666d4623d0
https://research.rug.nl/en/publications/9db6a81e-f77e-405a-99cb-c4666d4623d0
Presentation on the Groningen pilots for WP 4 in the RIGHT project for international project partners
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=narcis______::4568c51d7955e5c945bad180bdb44511
https://research.hanze.nl/nl/activities/75c33a80-83a7-41d8-bd60-f62d23dedeca
https://research.hanze.nl/nl/activities/75c33a80-83a7-41d8-bd60-f62d23dedeca
This report consists of two parts and describes the highlights of the investigations carried out in the Province of Groningen as part of the Right Project to understand the Regional Innovation Ecosystem in the region. The first part is focusses on th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=narcis______::77907c89a0401bee1aa3ae77c7776c3b
https://research.hanze.nl/en/publications/e80be9b4-1750-424f-9d36-f093187ed3d8
https://research.hanze.nl/en/publications/e80be9b4-1750-424f-9d36-f093187ed3d8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Anvanced Materials and Nanotechnology: International Conference Proceedings, 13-14th December 2012, Hanoi-Vietnam, 7-12
STARTPAGE=7;ENDPAGE=12;TITLE=Anvanced Materials and Nanotechnology
STARTPAGE=7;ENDPAGE=12;TITLE=Anvanced Materials and Nanotechnology
This study reports on the growth and characterization of TiN thib films obtained by atomic layer deposition at 350-425 ◦C. We observe a growth of the continuous layers from the very beginning of the process, i.e. for a thickness of 0.65 nm, which i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=narcis______::e491c0243f7ee6d561ba9f6ef1712ac7
https://research.utwente.nl/en/publications/tin-films-by-atomic-layer-deposition(eddda04c-9453-43db-ac52-c1d092c0df5d).html
https://research.utwente.nl/en/publications/tin-films-by-atomic-layer-deposition(eddda04c-9453-43db-ac52-c1d092c0df5d).html
Autor:
Faber, Erik J., Wolters, Rob A.M., Rajasekharan, Bijoy, Salm, Cora, Schmitz, Jurriaan, Edelstein, Daniel C., Schulz, Stefan E.
Publikováno v:
Advanced Metallization Conference 2009: proceedings of the conference held September 13-15, 2009, Baltimore, Maryland, U.S.A, 133-140
STARTPAGE=133;ENDPAGE=140;TITLE=Advanced Metallization Conference 2009
STARTPAGE=133;ENDPAGE=140;TITLE=Advanced Metallization Conference 2009
Metal-silicon contacts may degrade during (SOI) wafer processing at unknown, high temperature conditions such as caused by sputtering or etching. We observed this phenomenon for Pd contacts on SOI wafers. Suicide formation of Pd contacts on crystalli
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=narcis______::af84585566ce8a23314af587cff35ce3
https://research.utwente.nl/en/publications/221949dc-9f39-46a3-82d0-3b352fc68541
https://research.utwente.nl/en/publications/221949dc-9f39-46a3-82d0-3b352fc68541