Zobrazeno 1 - 10
of 44
pro vyhledávání: '"Woerle, Judith"'
Autor:
Kumar, Piyush, Martins, Maria Inês Mendes, Bathen, Marianne Etzelmüller, Woerle, Judith, Prokscha, Thomas, Grossner, Ulrike
Using positive muons as local probes implanted at low energy enables gathering information about the material of interest with nanometer depth resolution (low energy muon spin rotation spectroscopy (LE-$\mu$SR). In this work, we leverage the capabili
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2211.10252
Autor:
Alyabyeva, Natalia, Ding, Jacques, Sauty, Mylène, Woerle, Judith, Jousseaume, Yann, Ferro, Gabriel, McCallum, Jeffrey C., Peretti, Jacques, Johnson, Brett C., Rowe, Alistair C. H.
Publikováno v:
Physica Status Solidi (b) 260, 2200356 (2023)
Scanning tunneling luminescence microscopy (STLM) along with scanning tunneling spectroscopy (STS) is applied to a step-bunched, oxidized 4H-SiC surface prepared on the silicon face of a commercial, n-type SiC wafer using a silicon melt process. The
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2208.08775
Autor:
Martins, Maria Inês Mendes, Kumar, Piyush, Woerle, Judith, Ni, Xiaojie, Grossner, Ulrike, Prokscha, Thomas
Muon spin rotation with low-energy muons (LE{\mu}SR) is a powerful nuclear method where electrical and magnetic properties of surface-near regions and thin films can be studied on a length scale of $\approx$\SI{200}{\nano\meter}. In this work, we sho
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2206.00925
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mendes Martins, Maria, Kumar, Piyush, Woerle, Judith, Ni, Xiaojie, Grossner, Ulrike, Prokscha, Thomas
Publikováno v:
Advanced Materials Interfaces; 7/26/2023, Vol. 10 Issue 21, p1-10, 10p
Autor:
Kumar, Piyush, Martins, Maria Inês M., Bathen, Marianne, Woerle, Judith, Prokscha, Thomas, Grossner, Ulrike
Publikováno v:
Materials Science Forum, 1062
In this work, the interface between 4H-SiC and thermally grown SiO2 is studied using low energy muon spin rotation (LE-μSR) spectroscopy. Samples oxidized at 1300 °C were annealed in NO or Ar ambience and the effect of the ambience and the annealin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______150::37772abde147f748f797679691464ff0
https://hdl.handle.net/20.500.11850/578561
https://hdl.handle.net/20.500.11850/578561
Publikováno v:
Materials Science Forum, 1062
Silicon Carbide and Related Materials 2021
Silicon Carbide and Related Materials 2021
In this work, we compare different quasi-static capacitance-voltage measurement systems by analyzing 4H-SiC n-type MOS capacitors and studying the influence of systematic errors when extracting the interface trap density (Dit). We show that the extra
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b4fc508ea5857bbacff9290d9b0419f6
https://hdl.handle.net/20.500.11850/584398
https://hdl.handle.net/20.500.11850/584398
Autor:
Bathen, Marianne, Lew, Christopher T.-K., Woerle, Judith, Dorfer, Christian, Grossner, Ulrike, Castelletto, Stefania, Johnson, Brett C.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics, 131 (14)
Significant progress has been achieved with silicon carbide (SiC) high power electronics and quantum technologies, both drawing upon the unique properties of this material. In this Perspective, we briefly review some of the main defect characterizati
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b0cf033320668e5661478679a8d9e609
https://hdl.handle.net/20.500.11850/547205
https://hdl.handle.net/20.500.11850/547205