Zobrazeno 1 - 10
of 147
pro vyhledávání: '"Wistey, Mark"'
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 3/21/2024, Vol. 135 Issue 11, p1-10, 10p
Autor:
Dey, Tuhin, Arbogast, Augustus W., Meng, Qian, Reza, Md. Shamim, Muhowski, Aaron J., Cooper, Joshua J. P., Ozdemir, Erdem, Naab, Fabian U., Borrely, Thales, Anderson, Jonathan, Goldman, Rachel S., Wasserman, Daniel, Bank, Seth R., Holtz, Mark W., Piner, Edwin L., Wistey, Mark A.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 11/21/2023, Vol. 134 Issue 19, p1-12, 12p
Autor:
Reza, Md. Shamim, Dey, Tuhin, Arbogast, Augustus W., Muhowski, Aaron J., Holtz, Mark W., Stephenson, Chad A., Bank, Seth R., Wasserman, Daniel, Wistey, Mark A.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 11/14/2023, Vol. 134 Issue 18, p1-7, 7p
Autor:
Stephenson, Chad A., O'Brien, William A., Qi, Meng, Penninger, Michael, Schneider, William, Wistey, Mark A.
Dilute germanium carbides (Ge1-xCx) offer a direct bandgap for compact silicon photonics, but widely varying results have been reported. This work uses ab initio simulations with HSE06 hybrid functionals and spin-orbit coupling to study the Ge1-xCx b
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1410.8383
Autor:
O'Brien, William A., Qi, Meng, Yan, Lifan, Stephenson, Chad A., Protasenko, Vladimir, Xing, Huili Grace, Millunchick, Joanna M., Wistey, Mark A.
This work studies the spontaneous self-assembly of Ge QDs on AlAs, GaAs, and AlGaAs by high temperature in-situ annealing in molecular beam epitaxy (MBE). The morphology of Ge dots formed on AlAs are observed by atom probe tomography, which revealed
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1410.8117
Autor:
Wistey, Mark A., Baraskar, Ashish K., Singisetti, Uttam, Burek, Greg J., Shin, Byungha, Kim, Eunji, McIntyre, Paul C., Gossard, Arthur C., Rodwell, Mark J. W.
Control of faceting during epitaxy is critical for nanoscale devices. This work identifies the origins of gaps and different facets during regrowth of InGaAs adjacent to patterned features. Molecular beam epitaxy (MBE) near SiO2 or SiNx led to gaps,
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1408.3714
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Qi, Meng, Stephenson, Chad A., Protasenko, Vladimir, O'Brien, William A., Mintairov, Alexander, Xing, Huili Grace, Wistey, Mark A.
We demonstrate nearly-spherical, strain-free, self-assembled Ge quantum dots (QDs) fully encapsulated by AlAs, grown on (100) GaAs by molecular beam epitaxy (MBE). The QDs were formed without a wetting layer using a high temperature, in-situ anneal.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1311.1448
Autor:
Meng, Qian, El-Jaroudi, Rasha H., White, R. Corey, Dey, Tuhin, Reza, M. Shamim, Bank, Seth R., Wistey, Mark A.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 11/21/2022, Vol. 132 Issue 19, p1-8, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.