Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Wippermann, Stefan Martin"'
Autor:
Leon, Carmen Perez, Drees, Holger, Wippermann, Stefan Martin, Marz, Michael, Hoffmann-Vogel, Regina
Publikováno v:
Physical Review B 95, 245412 (2017)
Well-ordered stepped semiconductor surfaces attract intense attention owing to the regular arrangements of their atomic steps that makes them perfect templates for the growth of one- dimensional systems, e.g. nanowires. Here, we report on the atomic
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1711.03025
Autor:
León, Carmen P érez, Drees, Holger, Wippermann, Stefan Martin, Marz, Michael, Hoffmann-Vogel, Regina
Publikováno v:
Phys. Chem. Lett. 7, 426 (2016)
Stepped well-ordered semiconductor surfaces are important as nanotemplates for the fabrication of one-dimensional nanostructures which are candidates of intriguing electronic properties. Therefore a detailed understanding of the underlying stepped su
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1711.02356
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Pérez León C; Physikalisches Institut, Karlsruhe Institute of Technology (KIT) , Wolfgang-Gaede-Str. 1, D-76131 Karlsruhe, Germany., Drees H; Physikalisches Institut, Karlsruhe Institute of Technology (KIT) , Wolfgang-Gaede-Str. 1, D-76131 Karlsruhe, Germany., Wippermann SM; Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH , Max-Planck-Straße 1, D-40237 Düsseldorf, Germany., Marz M; Physikalisches Institut, Karlsruhe Institute of Technology (KIT) , Wolfgang-Gaede-Str. 1, D-76131 Karlsruhe, Germany., Hoffmann-Vogel R; Physikalisches Institut, Karlsruhe Institute of Technology (KIT) , Wolfgang-Gaede-Str. 1, D-76131 Karlsruhe, Germany.
Publikováno v:
The journal of physical chemistry letters [J Phys Chem Lett] 2016 Feb 04; Vol. 7 (3), pp. 426-30. Date of Electronic Publication: 2016 Jan 15.
