Zobrazeno 1 - 10
of 79
pro vyhledávání: '"Williams, Martin S"'
Autor:
Williams, Martin S., Alonso-Orts, Manuel, Schowalter, Marco, Karg, Alexander, Raghuvansy, Sushma, McCandless, Jon P., Jena, Debdeep, Rosenauer, Andreas, Eickhoff, Martin, Vogt, Patrick
The growth of $\alpha$-Ga$_2$O$_3$ and $\alpha$-(In$_x$Ga$_{1-x}$)$_2$O$_3$ on $m$-plane $\alpha$-Al$_2$O$_3$(10$\bar{1}$0) by molecular beam epitaxy (MBE) and metal-oxide-catalyzed epitaxy (MOCATAXY) is investigated. By systematically exploring the
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2311.12460
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Engineering Structures 15 January 2018 155:192-208
Publikováno v:
In Engineering Structures 1 April 2017 136:535-546
Autor:
Hatipoglu, Isa, Hunter, Daniel A., Mukhopadhyay, Partha, Williams, Martin S., Edwards, Paul R., Martin, Robert W., Schoenfeld, Winston V., Naresh-Kumar, G.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 11/28/2021, Vol. 130 Issue 20, p1-10, 10p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
de la Flor, Grace, Ojaghi, Mobin, Martínez, Ignacio Lamata, Jirotka, Marina, Williams, Martin S., Blakeborough, Anthony
Publikováno v:
Philosophical Transactions: Mathematical, Physical and Engineering Sciences, 2010 Sep . 368(1926), 4073-4088.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/25704700
Publikováno v:
In Computers and Structures 2011 89(11):1232-1240
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.