Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"Willets, C."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Engelmann, Sebastian U., Wise, Rich S., Feilchenfeld, N. B., Nummy, K., Barwicz, T., Gill, D., Kiewra, E., Leidy, R., Orcutt, J. S., Rosenberg, J., Stricker, A. D., Whiting, C., Ayala, J., Cucci, B., Dang, D., Doan, T., Ghosal, M., Khater, M., McLean, K., Porth, B., Sowinski, Z., Willets, C., Xiong, C., Yu, C., Yum, S., Giewont, K., Green, W. M. J.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; April 2017, Vol. 10149 Issue: 1 p101490D-101490D-9, 913420p
Autor:
Camillo-Castillo, R.A., Liu, Q.Z., Adkisson, J. W., Khater, M.H., Gray, P. B., Jain, V., Leidy, R.K., Pekarik, J. J., Gambino, J.P., Zetterlund, B., Willets, C., Parrish, C., Engelmann, S.U., Pyzyna, A.M., Cheng, P., Harame, D. L.
Publikováno v:
2013 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits & Technology Meeting (BCTM); 01/01/2013, p227-230, 4p
Autor:
Orner, B.A., Liu, Q.Z., Rainey, B., Stricker, A., Geiss, P., Gray, P., Zierak, M., Gordon, M., Collins, D., Ramachandran, V., Hodge, W., Willets, C., Joseph, A., Dunn, J., Rieh, J.-S., Jeng, S.-J., Eld, E., Freeman, G., Ahlgren, D.
Publikováno v:
Proceedings of the Bipolar/BiCMOS Circuits & Technology Meeting, 2003; 2003, p203-206, 4p
Autor:
Lam, C., Sunaga, T., Igarashi, Y., Ichinose, M., Kitamura, K., Willets, C., Johnson, J., Mittl, S., White, F., Tang, H., Chen, T.-C.
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting 2000. Technical Digest. IEDM (Cat. No.00CH37138); 2000, p335-338, 4p
Autor:
Chen, B., Hook, T., Starkey, G., Bhattacharyya, A., Faucher, M., Racine, C., Willets, C., Eslinger, S., Kulkarni, S., King, W., Washburn, C., Piccirillo, J., Mongeon, S., Johnson, A., Gabrielle, E.
Publikováno v:
1993 International Symposium on VLSI Technology, Systems & Applications Proceedings of Technical Papers; 1993, p301-305, 5p
Autor:
Hook, T., Chen, B., Starkey, G., Bhattacharyya, A., Faucher, M., Racine, C., Willets, C., Eslinger, S., Kulkarni, S., King, W., Washburn, C., Piccirillo, J., Mongeon, S., Johnson, A., Gabrielle, E.
Publikováno v:
Proceedings IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference & Workshop; 1993, p152-155, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Effects and prevention of source/drain ion implantation into the polysilicon in a BiCMOS technology.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; 1995, Vol. 42 Issue 3, p571-572, 2p
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.