Zobrazeno 1 - 10
of 276
pro vyhledávání: '"Wietstruck, M."'
Autor:
Marschmeyer, S., Berthold, J., Krüger, A., Lisker, M., Scheit, A., Schulze, S., Trusch, A., Wietstruck, M., Wolansky, D.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2 April 2015 137:153-157
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kaynak, C. B., Goritz, A., Yuji Yamamoto, Wietstruck, M., Stocchi, M., Unal, K. E., Ozdemir, M. B., Ozsoy, Y., Gurbuz, Y., Kaynak, M.
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
This paper presents the development of mechanical and thermal modeling of an uncooled microbolometer based on finite-element-method (FEM) simulations. After having mechanical modeling and validation on the cantilever beam structure to be used as supp
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::7ada2a29701346d699b77364be40d455
https://research.sabanciuniv.edu/id/eprint/40243/
https://research.sabanciuniv.edu/id/eprint/40243/
Publikováno v:
Journées Nationales Microondes (JNM 2019)
Journées Nationales Microondes (JNM 2019), May 2019, Caen, France
Journées Nationales Microondes (JNM 2019), May 2019, Caen, France
National audience; Ces travaux présentent la mise en oeuvre de filtres en guide d'onde intégré (SIW) pour des applications en bande D (140 GHz) et THz (280 GHz et 400 GHz). Les filtres sont développés sur interposer silicium haute résistivité
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::8374160bbc9fd9300732682bed93555f
https://hal.laas.fr/hal-02309789
https://hal.laas.fr/hal-02309789
Autor:
Stocchi M; IHP Microelectronics, Im Technologiepark 25, 15236, Frankfurt (Oder), Germany. stocchi@ihp-microelectronics.com., Cao Z; IHP Microelectronics, Im Technologiepark 25, 15236, Frankfurt (Oder), Germany., Joseph CH; Universitá Politecnica delle Marche, 60131, Ancona, Italy., Voss T; IHP Microelectronics, Im Technologiepark 25, 15236, Frankfurt (Oder), Germany., Mencarelli D; Universitá Politecnica delle Marche, 60131, Ancona, Italy.; Istituto Nazionale di Fisica Nucleare (INFN) - Laboratori Nazionali di Frascati (LNF), Via E. Fermi, Frascati, Rome, Italy., Pierantoni L; Universitá Politecnica delle Marche, 60131, Ancona, Italy.; Istituto Nazionale di Fisica Nucleare (INFN) - Laboratori Nazionali di Frascati (LNF), Via E. Fermi, Frascati, Rome, Italy., Kaynak CB; IHP Microelectronics, Im Technologiepark 25, 15236, Frankfurt (Oder), Germany., Hebeler J; IHE, Karlsruher Institute for Technology, Karlsruhe, Germany., Zwick T; IHE, Karlsruher Institute for Technology, Karlsruhe, Germany., Wietstruck M; IHP Microelectronics, Im Technologiepark 25, 15236, Frankfurt (Oder), Germany., Kaynak M; IHP Microelectronics, Im Technologiepark 25, 15236, Frankfurt (Oder), Germany.
Publikováno v:
Scientific reports [Sci Rep] 2022 Mar 10; Vol. 12 (1), pp. 3946. Date of Electronic Publication: 2022 Mar 10.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; 2018, Vol. 10585, p1-8, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wipf, S. Tolunay, Goeritz, A., Wipf, C., Wietstruck, M., Burak, A., Tuerkmen, E., Guerbuez, Y., Kaynak, M.
This paper presents an RF-MEMS switch fabricated in a 0.13 mu m SiGe BiCMOS process technology for 240 GHz applications. The fabricated RF-MEMS switch provides a high capacitance C-on/C-off ratio of 8.78 and beyond state of the art RF performances, 0
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=r39c86a4b39b::a2dc8797d17602156bb1b537405ca638
https://aperta.ulakbim.gov.tr/record/52151
https://aperta.ulakbim.gov.tr/record/52151