Zobrazeno 1 - 10 of 381 pro vyhledávání: '"Wieder, H"'
3
Akademický článek
Green’s function approach for transport calculation in a In[sub 0.53]Ga[sub 0.47]As/In[sub 0.52]Al[sub 0.48]As modulation-doped heterostructure.
Autor: Vasileska, D., Prasad, C., Wieder, H. H., Ferry, D. K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/15/2003, Vol. 93 Issue 6, p3359, 5p, 1 Diagram, 2 Charts, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Contact properties of tantalum-silicon films on n- and p-type InP.
Autor: Zhang, B., Scott, D. M., Wieder, H. H., Lau, S. S., Tseng, W. F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Apr1984, Vol. 55 Issue 8, p2986-2989, 4p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
High speed response of a GaAs metal-semiconductor field-effect transistor to electron-beam excitation.
Autor: Flesner, L. D., Davis, N. M., Wieder, H. H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; May1982, Vol. 53 Issue 5, p3873-3877, 5p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Electronic profile of n-InAs on semi-insulating GaAs.
Autor: Washburn, H. A., Sites, J. R., Wieder, H. H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jul1979, Vol. 50 Issue 7, p4872-4878, 7p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Epilayer-substrate interfaces of Ge-doped GaAs grown by liquid-phase epitaxy.
Autor: Lum, W. Y., Clawson, A. R., Elder, D. I., Wieder, H. H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jun1978, Vol. 49 Issue 6, p3333-3336, 4p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Correlation of buffer strain relaxation modes with transport properties of two-dimensional electron gases.
Autor: Goldman, R. S., Kavanagh, K. L., Wieder, H. H., Robbins, V. M., Ehrlich, S. N., Feenstra, R. M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/15/1996, Vol. 80 Issue 12, p6849, 6p, 1 Diagram, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Gate bias controlled charge distribution in the subbands of In0.29Al0.71As/In0.3Ga0.7As modulation doped heterostructures.
Autor: Chen, Jianhui, Wieder, H. H., Young, A. P.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/1994, Vol. 76 Issue 8, p4743, 6p, 3 Diagrams, 1 Chart, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Electron distribution in pseudomorphic Al0.30Ga0.70As/ In0.15Ga0.85As/GaAs δ-doped heterostructures.
Autor: Fernández, J. M., Lazzouni, M. E., Sham, L. J., Wieder, H. H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/15/1993, Vol. 74 Issue 2, p1161, 8p, 1 Diagram, 3 Charts, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje