Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"Wide band semiconductors"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gennaro Conte, Ernesto Limiti, B Pasciuto, Walter Ciccognani, P. Calvani, Maria Cristina Rossi
Publikováno v:
2009 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon.
On the bases of the RF characteristics and measured small-signal parameters, an equivalent circuit model is formulated and characterized for Metal-Semiconductor Field Effect Transistors based on H-terminated polycrystalline diamond. Starting from on-
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4e6b67b4d24dac8788b3626b67a52d45
https://doi.org/10.1109/ulis.2009.4897586
https://doi.org/10.1109/ulis.2009.4897586
Autor:
P. CALVANI, F. SINISI, ROSSI, Maria Cristina, D. DOMINIJANNI, E. GIOVINE, E. LIMITI, DOI . ULIS, CONTE, Gennaro
Publikováno v:
info:cnr-pdr/source/autori:Calvani, P.; Sinisi, F.; Rossi, M. C.; Conte, G.; Giovine, E.; Ciccognani, W.; Limiti, E./congresso_nome:10th International Conference on ULtimate Integration of Silicon, ULIS 2009/congresso_luogo:/congresso_data:18-20%2F03%2F2009/anno:2009/pagina_da:257/pagina_a:260/intervallo_pagine:257–260
info:cnr-pdr/source/autori:P. Calvani (1), F. Sinisi (1), M.C. Rossi (1), G. Conte (1), E. Giovine (2), W. Ciccognani (3), E. Limiti (3)/congresso_nome:10th International Conference on Ultimate Integration on Silicon/congresso_luogo:Aachen, GERMANY/congresso_data:MAR 18-20, 2009/anno:2009/pagina_da:257/pagina_a:260/intervallo_pagine:257–260
info:cnr-pdr/source/autori:P. Calvani (1), F. Sinisi (1), M.C. Rossi (1), G. Conte (1), E. Giovine (2), W. Ciccognani (3), E. Limiti (3)/congresso_nome:10th International Conference on Ultimate Integration on Silicon/congresso_luogo:Aachen, GERMANY/congresso_data:MAR 18-20, 2009/anno:2009/pagina_da:257/pagina_a:260/intervallo_pagine:257–260
Metal-Semiconductor Field Effect Transistors (MESFETs) were fabricated on polycrystalline diamond. Devices were realized to be employed in Microwave Integrated Circuits for satellite communications and high frequency power amplification, areas were d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7b457118799fdfff46a995b7d2b4aea4
Autor:
Antonio Serino, Maria Cristina Rossi, A. Corsaro, Walter Ciccognani, P. Calvani, Ernesto Limiti, B Pasciuto, Gennaro Conte
On the basis of RF characteristics and measured small-signal parameters, an equivalent circuit model was formulated and characterized for metal-semiconductor field effect transistors based on H-terminated polycrystalline diamond. Starting from on-waf
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d24ab760d0a9079ce22fca9f0de0f80a
https://hdl.handle.net/11590/133904
https://hdl.handle.net/11590/133904
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.