Zobrazeno 1 - 10 of 210 pro vyhledávání: '"Wichmann, N"'
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
Akademický článek
Study of the oxidation at the Al2O3/GaSb interface after NH4OH and HCl/(NH4)2S passivations and O2 plasma post atomic layer deposition process.
Autor: Lechaux, Y., Fadjie-Djomkam, A. B., Pastorek, M., Wallart, X., Bollaert, S., Wichmann, N.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 124 Issue 17, pN.PAG-N.PAG, 6p, 2 Charts, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Impact ionization and band-to-band tunneling in InxGa1-xAs PIN ungated devices: A Monte Carlo analysis.
Autor: Vasallo, B. G., González, T., Talbo, V., Lechaux, Y., Wichmann, N., Bollaert, S., Mateos, J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 123 Issue 3, p034501-1-N.PAG, 5p, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
75 nm Gate Length PHEMT With f max = 800 GHz Using Asymmetric Gate Recess: RF and Noise Investigation.
Autor: Samnouni, M., Wichmann, N., Wallart, X., Coinon, C., Lepilliet, S., Bollaert, S.
Publikováno v: IEEE Transactions on Electron Devices; Sep2021, Vol. 68 Issue 9, p4289-4295, 7p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje