Výsledky vyhledávání - "Whipple, Steven G."

Akademický článek

23.4% monolithic epitaxial GaAsP/Si tandem solar cells and quantification of losses from threading dislocations

Autor: Lepkowski, Daniel L., Grassman, Tyler J., Boyer, Jacob T., Chmielewski, Daniel J., Yi, Chuqi, Juhl, Mattias K., Soeriyadi, Anastasia H., Western, Ned, Mehrvarz, Hamid, Römer, Udo, Ho-Baillie, Anita, Kerestes, Christopher, Derkacs, Daniel, Whipple, Steven G., Stavrides, Alex P., Bremner, Stephen P., Ringel, Steven A.

Publikováno v: In Solar Energy Materials and Solar Cells 15 September 2021 230

Zobrazit plný text záznamu

Electronic Resource

Fabrication and characterization of hybrid silicon-on-silicon carbide wafers

Autor: Whipple, Steven G.

Publikováno v: Connect to online resource.

Thesis (Ph.D.)--University of Colorado at Boulder, 2006.
Source: Dissertation Abstracts International, Volume: 67-05, Section: B, page: 2621. Adviser: John Torvik.

Externí odkaz: http://gateway.proquest.com/openurl?url_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:dissertation&res_dat=xri:pqdiss&rft_dat=xri:pqdiss:3219025

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Demonstration of Hybrid Silicon-on-Silicon Carbide Wafers and Electrical Test Structures with Improved Thermal Performance.

Autor: Whipple, Steven G., Torvik, John T., Treece, Randolph E., Bernacki, Jeffrey T.

Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 2006, Vol. 911 Issue 1, p1-6, 6p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Pattern transfer from a biomolecular nanomask to a substrate via an intermediate transfer layer.

Autor: Winningham, Thomas A., Whipple, Steven G., Douglas, Kenneth

Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 2001, Vol. 19 Issue 5, p1796-1802, 7p

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání