Zobrazeno 1 - 10
of 42
pro vyhledávání: '"Wharam, D A"'
Publikováno v:
J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys. 35 (2002) L469 - L474
We have used ultracold atoms to characterize the magnetic field near the surface of copper conductors at room temperature carrying currents between 0.045 A and 2 A. In addition to the usual circular field we find an additional, 1000 - 10000 times sma
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0210377
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 81, 1146 (2002)
We describe the production and characterization of microelectromagnets made for trapping and manipulating atomic ensembles. The devices consist of 7 fabricated parallel copper conductors 3 micrometer thick, 25mm long, with widths ranging from 3 to 30
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0205586
We present an experimental study of the fluctuations of Coulomb blockade peak positions of a quantum dot. The dot is defined by patterning the two-dimensional electron gas of a silicon MOSFET structure using stacked gates. This permits variation of t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/9901274
Autor:
Haubrich, A. G. C., Wharam, D. A., Kriegelstein, H., Manus, S., Lorke, A., Gossard, A. C., Kotthaus, J. P.
We present the results of high-frequency mixing experiments performed upon parallel quantum point-contacts defined in the two-dimensional electron gas of an Al_{x}Ga_{1-x}As/GaAs-heterostructure. The parallel geometry, fabricated using a novel double
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/9705308
The fluctuations and the distribution of the conductance peak spacings of a quantum dot in the Coulomb-blockade regime are studied and compared with the predictions of random matrix theory (RMT). The experimental data were obtained in transport measu
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/9701226
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 5/15/2003, Vol. 93 Issue 10, p6050, 6p, 1 Diagram, 1 Chart, 5 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Pierre, M., Jehl, X., Wacquez, R., Vinet, M., Sanquer, M., Belli, M., Prati, E., Fanciulli, M., Verduijn, J., Tettamanzi, G.C., Lansbergen, G.P., Rogge, S., Ruoff, M., Fleischer, M., Wharam, D., Kern, D.
Publikováno v:
2009 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon; 2009, p249-252, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.