Zobrazeno 1 - 10 of 124 pro vyhledávání: '"Weyher, J. L."'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Akademický článek
Raman and cathodoluminescence study of dislocations in GaN.
Autor: Lei, H., Leipner, H. S., Schreiber, J., Weyher, J. L., Wosinski, T., Grzegory, I.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/1/2002, Vol. 92 Issue 11, p6666, 5p, 1 Black and White Photograph, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Carrier recombination at single dislocations in GaN measured by cathodoluminescence in a transmission electron microscope.
Autor: Albrecht, M., Strunk, H. P., Weyher, J. L., Grzegory, I., Porowski, S., Wosinski, T.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/15/2002, Vol. 92 Issue 4, p2000, 6p, 4 Black and White Photographs, 1 Diagram, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Selective photoetching and transmission electron microscopy studies of defects in heteroepitaxial GaN.
Autor: Weyher, J. L., Tichelaar, F. D., Zandbergen, H. W., Macht, L., Hageman, P. R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/15/2001, Vol. 90 Issue 12, p6105, 5p, 7 Black and White Photographs
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Microtomography observation of precipitates in semi-insulating GaAs materials.
Autor: Gall, P., Fillard, J. P., Castagne, M., Weyher, J. L., Bonnafe, J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/15/1988, Vol. 64 Issue 10, p5161, 9p, 6 Black and White Photographs, 1 Diagram, 1 Chart
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Revealing of defects in InP by shallow (submicron) photoetching.
Autor: Weyher, J. L., Giling, L. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/1/1985, Vol. 58 Issue 1, p219, 4p, 4 Black and White Photographs, 1 Graph
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje