Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Wen, Tingjun"'
Autor:
Jiang, Huaquan1 (AUTHOR) jhq1007@petrochina.com.cn, Wen, Tingjun1 (AUTHOR) wentingjun@petrochina.com.cn, Li, Limin1 (AUTHOR) lili_min@petrochina.com.cn, Guo, Zhengwei2 (AUTHOR) gzw@cqust.edu.cn, Zhang, Renhao2 (AUTHOR) 2009038@cqust.edu.cn, Ma, Jun1 (AUTHOR) majun@petrochina.com.cn, Su, Kanhua2 (AUTHOR)
Publikováno v:
Symmetry (20738994). Dec2024, Vol. 16 Issue 12, p1692. 12p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yuriy M. Greshishchev, Jerry Lam, Robert Gibbins, Cho Young Gouk, Jorge Aguirre, Wen Tingjun, Naim Ben-Hamida, Douglas McPherson, Mahdi Parvizi, Sadok Aouini, Marinette Besson
Publikováno v:
BCICTS
CMOS FinFET is a leading technology choice for state-of-the-art DSP ASICs, where achieving a high signal to noise and distortion ratio (SINAD) in the transmitter DAC becomes one of the analog design challenges. This paper presents a 60 GS/s 8-b DAC i
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.