Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Weiszer, Saskia"'
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 15 March 2019 510:56-64
Autor:
Schuster, Fabian, Hetzl, Martin, Weiszer, Saskia, Wolfer, Marco, Kato, Hiromitsu, Nebel, Christoph E., Garrido, Jose A., Stutzmann, Martin
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2015, Vol. 118 Issue 15, p154303-1-154303-6, 6p, 2 Diagrams, 1 Chart, 4 Graphs
Autor:
Schuster, Fabian, Winnerl, Andrea, Weiszer, Saskia, Hetzl, Martin, Garrido, Jose A., Stutzmann, Martin
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2015, Vol. 117 Issue 4, p044307-1-044307-9, 9p, 1 Black and White Photograph, 1 Chart, 11 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Schuster, Fabian, Hetzl, Martin, Weiszer, Saskia, Garrido, Jose, De La Mata, Maria, Magén, César, Arbiol i Cobos, Jordi, Stutzmann, Martin, ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró
Publikováno v:
Dipòsit Digital de Documents de la UAB
Universitat Autònoma de Barcelona
Digital.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
instname
Universitat Autònoma de Barcelona
Digital.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
instname
In this work the position-controlled growth of GaN nanowires (NWs) on diamond by means of molecular beam epitaxy is investigated. In terms of growth, diamond can be seen as a model substrate, providing information of systematic relevance also for oth
Autor:
Schuster, Fabian, Weiszer, Saskia, Hetzl, Martin, Winnerl, Andrea, Garrido, Jose A., Stutzmann, Martin
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2014, Vol. 116 Issue 5, p054301-1-054301-6, 6p, 3 Black and White Photographs, 5 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dogmus, Ezgi, Zegaoui, Malek, Largeau, Ludovic, Tchernycheva, Maria, Neplokh, Vladimir, Weiszer, Saskia, Schuster, Fabian, Stutzmann, Martin, Foldyna, Martin, Medjdoub, Farid
Publikováno v:
Physica Status Solidi (C); Dec2015, Vol. 12 Issue 12, p1412-1415, 4p
Autor:
Hetzl, Martin1 martin.hetzl@wsi.tum.de, Schuster, Fabian1, Winnerl, Andrea1, Weiszer, Saskia1, Stutzmann, Martin1 stutz@wsi.tum.de
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing. Nov2016, Vol. 55, p32-45. 14p.