Výsledky vyhledávání - "Weinzierl, S. R."

Conference

SOI Material Properties Determined by Electrical Characterization.

Autor: Rai-Choudhury, P., Hillard, R. J., Heddleson, J. M., Weinzierl, S. R., Abe, T., Karulkar, P., Pawlik, M.

Publikováno v: ESSDERC '92: 22nd European Solid State Device Research conference; 1992, p827-830, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Evaluation of diamond-ground beveled surfaces with Hg gate capacitance-voltage and current-voltage.

Autor: Hillard, R. J., Sherbondy, J. C., Hartford, C. L., Weinzierl, S. R., Mazur, R. G.

Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1998, Vol. 16 Issue 1, p411-414, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Accurate profiling of ultra-shallow implants with mercury gate metal-oxide-semiconductor capacitance-voltage.

Autor: Dudal, Roger Le, Hillard, R. J., Heddleson, J. M., Weinzierl, S. R., Rai-Choudhury, P., Mazur, R. G.

Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1994, Vol. 12 Issue 1, p336-341, 6p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Profiling of silicide-silicon structures using a combination of the spreading resistance and point contact current-voltage methods.

Autor: Heddleson, J. M., Weinzierl, S. R., Hillard, R. J., Rai-Choudhury, P., Mazur, R. G.

Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1994, Vol. 12 Issue 1, p317-321, 5p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Detection of anomalous defect-enhanced diffusion using advanced spreading resistance measurements and analysis.

Autor: Weinzierl, S. R., Hillard, R. J., Heddleson, J. M., Rai-Choudhury, P., Mazur, R. G., Osburn, C. M.

Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1994, Vol. 12 Issue 1, p322-326, 5p

Zobrazit plný text záznamu