Transferred-Substrate InP/GaAsSb Heterojunction Bipolar Transistor Technology With fmax ~ 0.53 THz

Autor: Weimann, Nils G., Johansen, Tom Keinicke, Stoppel, Dimitri, Matalla, Matthias, Brahem, Mohamed, Nosaeva, Ksenia, Boppel, Sebastian, Volkmer, Nicole, Ostermay, Ina, Krozer, Viktor, Ostinelli, Olivier, Bolognesi, Colombo R.

Publikováno v: Weimann, N G, Johansen, T K, Stoppel, D, Matalla, M, Brahem, M, Nosaeva, K, Boppel, S, Volkmer, N, Ostermay, I, Krozer, V, Ostinelli, O & Bolognesi, C R 2018, ' Transferred-Substrate InP/GaAsSb Heterojunction Bipolar Transistor Technology With fmax ~ 0.53 THz ', I E E E Transactions on Electron Devices, vol. 65, no. 9, pp. 3704-3710 . https://doi.org/10.1109/TED.2018.2854546

We report on the realization mymargin of transferred-substrate InP/GaAsSb double heterostructure bipolar transistors in a terahertz monolithic integrated circuit process. Transistors with 0.4- mu m -wide single emitters reached unilateral gain cutoff

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::dc9d88f20ff252d3c9042c194e9516f3
https://www.scopus.com/inward/record.url?partnerID=HzOxMe3b&origin=inward&scp=85050247930

GaN nanotip pyramids formed by anisotropic etching.

Autor: Ng, Hock M., Weimann, Nils G., Chowdhury, Aref

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/1/2003, Vol. 94 Issue 1, p650, 4p, 2 Black and White Photographs, 1 Diagram, 1 Graph

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.