Zobrazeno 1 - 10
of 148
pro vyhledávání: '"Weimann, Nils"'
Autor:
Shanin, Nikita, Clochiatti, Simone, Mayer, Kenneth M., Cottatellucci, Laura, Weimann, Nils, Schober, Robert
In this paper, we study THz simultaneous wireless information and power transfer (SWIPT) systems. Since coherent information detection is challenging at THz frequencies and Schottky diodes may not be efficient for THz energy harvesting (EH) and infor
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2307.06036
Autor:
Shanin, Nikita, Clochiatti, Simone, Mayer, Kenneth M., Cottatellucci, Laura, Weimann, Nils, Schober, Robert
In this paper, we study terahertz (THz) simultaneous wireless information and power transfer (SWIPT) for future micro-scale 6G Internet-of-Things (IoT) networks. Since Schottky diodes are not efficient for THz energy harvesting (EH), we propose reson
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2305.03532
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters Vol. 42, Num. 2, Feb. 2021, pp. 224 - 227
The traditional transmission coefficient present in the original Landauer formulation, which is valid for quasi-static scenarios with working frequencies below the inverse of the electron transit time, is substituted by a novel time-dependent displac
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2103.11808
Autor:
Meier, Johanna, Häuser, Patrick, Blumberg, Christian, Smola, Tim, Prost, Werner, Weimann, Nils, Bacher, Gerd
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 7/28/2023, Vol. 134 Issue 4, p1-8, 8p
Autor:
Mutlu, Enes, Grygoriev, Anton, Clochiatti, Simone, Kress, Robin, Preuss, Christian, Possberg, Alexander, Prost, Werner, Weimann, Nils
Publikováno v:
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Jul2024, Vol. 221 Issue 13, p1-9, 9p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 15 July 2021 566-567
Publikováno v:
2003 Device Research Conference, Salt Lake City, June 23 to 25, 2003
Heterostructures of the materials system GaN/AlGaN/GaN were grown by molecular beam epitaxy on 6H-SiC substrates and high electron mobility transistors (HEMTs) were fabricated. For devices with large gate periphery an air bridge technology was develo
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Stoppel, Dimitri, Ostermay, Ina, Hrobak, Michael, Shivan, Tanjil, Hossain, Maruf, Reiner, Maria, Thiele, Nico, Nosaeva, Ksenia, Brahem, Mohamed, Krozer, Viktor, Boppel, Sebastian, Halder, Nripendra, Weimann, Nils
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 1 March 2019 208:1-6