Zobrazeno 1 - 10 of 42 pro vyhledávání: '"Wecht, K. W."'
1
Akademický článek
Concentration dependence of the absorption coefficient for n- and p-type GaAs between 1.3 and 1.6 eV.
Autor: Casey, H. C., Sell, D. D., Wecht, K. W.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jan1975, Vol. 46 Issue 1, p250-257, 8p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Concentration dependence of the refractive index for n - and p -type GaAs between 1.2 and 1.8 eV.
Autor: Sell, D. D., Casey, H. C., Wecht, K. W.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jun1974, Vol. 45 Issue 6, p2650-2657, 8p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Long wavelength (3–5 and 8–12 μm) photoluminescence of InAs1-xSbx grown on (100) GaAs by molecular-beam epitaxy.
Autor: Yen, M. Y., People, R., Wecht, K. W.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/15/1988, Vol. 64 Issue 2, p952, 4p, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Molecular-beam epitaxial growth and characterization of GaAs on epitaxial CoSi2 films on Si(111).
Autor: Chand, N., Phillips, J. M., Lunardi, L. M., Chu, S. N. G., Wecht, K. W., People, R.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1988, Vol. 6 Issue 2, p703-707, 5p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Photophone performance.
Autor: Nelson, D. F., Wecht, K. W., Kleinman, D. A.
Publikováno v: Journal of the Acoustical Society of America; 1976, Vol. 60 Issue 1, p251-255, 5p
Zobrazit plný text záznamu
7
Periodical
Γ andXbandgap hydrostatic deformation potentials for epitaxial In0.52Al0.48As on InP(001)
Autor: People, R, Jayaraman, A, Wecht, K W, Alexander, S K, Cho, A Y, Sivco, D L
Publikováno v: Pramana; November 1988, Vol. 31 Issue: 5 p383-387, 5p
Zobrazit plný text záznamu
8
Periodical
Concentration dependence of the absorption coefficient for n− and p−type GaAs between 1.3 and 1.6 eV
Autor: Casey, H. C., Sell, D. D., Wecht, K. W.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; January 1975, Vol. 46 Issue: 1 p250-257, 8p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Measurement of the pressure dependence of the direct band gap of In0.53Ga0.47As using stimulated emission.
Autor: People, R., Jayaraman, A., Wecht, K. W., Sivco, D. L., Cho, A. Y.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 6/20/1988, Vol. 52 Issue 25, p2124, 3p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Long-wavelength photoluminescence of InAs1-xSbx (0
Autor: Yen, M. Y., People, R., Wecht, K. W., Cho, A. Y.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 2/8/1988, Vol. 52 Issue 6, p489, 3p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje