Zobrazeno 1 - 10
of 161
pro vyhledávání: '"Wasyluk, J."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 5, Iss 9, Pp 1507-1511 (2010)
Abstract A series of 3C-SiC films have been grown by a novel method of solid–gas phase epitaxy and studied by Raman scattering and scanning electron microscopy (SEM). It is shown that during the epitaxial growth in an atmosphere of CO, 3C-SiC films
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5fb824d5d7064c4baa64a5a3c8d4a605
Publikováno v:
In Diamond & Related Materials 2010 19(5):514-517
Publikováno v:
In Applied Surface Science 2009 255(10):5546-5548
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Feb2011, Vol. 109 Issue 3, p033502, 11p, 1 Diagram, 4 Charts, 9 Graphs
Autor:
Lau, D. W. M., Partridge, J. G., Taylor, M. B., McCulloch, D. G., Wasyluk, J., Perova, T. S., McKenzie, D. R.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Apr2009, Vol. 105 Issue 8, p084302-084308, 6p, 1 Black and White Photograph, 1 Chart, 8 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.