Zobrazeno 1 - 10
of 139
pro vyhledávání: '"Ware, M. E."'
Autor:
Laurindo Jr., V., Mazur, Yu. I., de Oliveira, E. R. Cardozo, Alén, B., Ware, M. E., Marega Jr., E., Zhuchenko, Z. Ya., Tarasov, G. G., Marques, G. E., Teodoro, M. D., Salamo, G. J.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 100, 035309 (2019)
A magnetophotoluminescence study of the carrier transfer with hybrid InAs/GaAs quantum dot(QD)-InGaAs quantum well (QW) structures is carried out where we observe an unsual dependence of the photoluminescence (PL) on the GaAs barrier thickness at str
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1902.05812
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ware, M. E., Stinaff, E. A., Gammon, D., Doty, M. F., Bracker, A. S., Gershoni, D., Korenev, V. L., Badescu, S. C., Lyanda-Geller, Y., Reinecke, T. L.
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 95 (2005) 177403
We report polarized photoluminescence excitation spectroscopy of the negative trion in single charge tunable InAs/GaAs quantum dots. The spectrum exhibits a p-shell resonance with polarized fine structure arising from the direct excitation of the ele
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0506624
Autor:
Li, C. H., Kioseoglou, G., Erve, O. M. J. van t, Ware, M. E., Gammon, D., Stroud, R. M., Jonker, B. T., Mallory, R., Yasar, M., Petrou, A.
We report electrical control of the spin polarization of InAs/GaAs self-assembled quantum dots (QDs) at room temperature. This is achieved by electrical injection of spin-polarized electrons from an Fe Schottky contact. The circular polarization of t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0501759
Autor:
Bracker, A. S., Stinaff, E. A., Gammon, D., Ware, M. E., Tischler, J. G., Shabaev, A., Efros, Al. L., Park, D., Gershoni, D., Korenev, V. L., Merkulov, I. A.
We present a comprehensive examination of optical pumping of spins in individual GaAs quantum dots as we change the charge from positive to neutral to negative using a Schottky diode. We observe that photoluminescence polarization memory has the same
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0408466
Autor:
Dzhioev, R. I., Kavokin, K. V., Korenev, V. L., Lazarev, M. V., Poletaev, N. K., Zakharchenya, B. P., Stinaff, E. A., Gammon, D., Bracker, A. S., Ware, M. E.
We report a large and unexpected suppression of the free electron spin relaxation in lightly-doped n-GaAs bulk crystals. The spin relaxation rate shows weak mobility dependence and saturates at a level 30 times less then that predicted by the Dyakono
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0407133
Autor:
Stinaff, E. A., Scheibner, M., Bracker, A. S., Ponomarev, I. V., Korenev, V. L., Ware, M. E., Doty, M. F., Reinecke, T. L., Gammon, D.
Publikováno v:
Science, 2006 Feb 01. 311(5761), 636-639.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/3843504
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.