Výsledky vyhledávání

Akademický článek

AX-type defects in zinc-doped GaAs(1-x)P(x) on GaAs.

Autor: Gfroerer, T. H., Hampton, D. G., Simov, P. R., Wanlass, M. W.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jul2010, Vol. 107 Issue 12, p123719, 4p, 2 Diagrams, 5 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Deep donor-acceptor pair recombination in InGaAs-based heterostructures grown on InP substrates.

Autor: Gfroerer, T. H., Gillespie, C. E., Campbell, J. P., Wanlass, M. W.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/1/2005, Vol. 98 Issue 9, p093708, 6p, 7 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Temperature dependence of nonradiative recombination in low-band gap InxGa1-xAs/InAsyP1-y double heterostructures grown on InP substrates.

Autor: Gfroerer, T. H., Priestley, L. P., Fairley, M. F., Wanlass, M. W.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/1/2003, Vol. 94 Issue 3, p1738, 6p, 1 Chart, 6 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Effective electron mass and plasma filter characterization of n-type InGaAs and InAsP.

Autor: Metzger, W. K., Wanlass, M. W., Gedvilas, L. M., Verley, J. C., Carapella, J. J., Ahrenkiel, R. K.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/2002, Vol. 92 Issue 7, p3524, 6p, 2 Charts, 8 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Microscale PV Cells for Concentrated PV Applications

Autor: Nielson, G.N., Okandan, M., Resnick, P.J., Cruz-Campa, J.L., Clews, P., Wanlass, M., Sweatt, W.C., Steenbergen, E., Gupta, V.P.

24th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 21-25 September 2009, Hamburg, Germany; 170-173
We describe a process to manufacture ultrathin photovoltaic (PV) cells from crystalline silicon and gallium arsenide. The method uses technologie

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8120104ec9befc7a03a1d7ac944fb5c2

Zobrazit plný text záznamu

Conference

High-temperature (450°C) operation of InGaP solar cell under N2 ambient using refractory metal contacts.

Autor: Elarde, V. C., Cardwell, D., Hillier, G., Wibowo, A., Hoheisel, R., Gonzalez, M., Lumb, M., Tomasulo, S., Kotulak, N., Scheiman, D., Maximenko, S., Jenkins, P., Walters, R., Heemstra, D., Fay, P., Wanlass, M., Osowski, M., Pan, N.

Publikováno v: 2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC); 2016, p2337-2340, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Conditions for uniform growth of GaAs1-xPx superlattices.

Autor: Blakeslee, A. E., Kibbler, A., Wanlass, M. W., Biefeld, R. M.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/1/1986, Vol. 60 Issue 3, p1206, 3p, 3 Black and White Photographs

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání