Zobrazeno 1 - 10
of 32
pro vyhledávání: '"Wang Zhao-Ping"'
Publikováno v:
Chinese Physics Letters. 17:612-614
Photoluminescence measurements have been performed on cubic GaN films with carrier concentration as low as 3 x 10(13) cm(-3). From the temperature and excitation intensity dependence, the emission lines at 3.268, 3.150 and 3.081 eV were assigned to t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f5202ae9376a2f44f0cb449cab066ca3
https://doi.org/10.1088/0256-307x/17/8/024
https://doi.org/10.1088/0256-307x/17/8/024
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Liang, Rong, Yiu, Chui Ying, Li, Dan-xi, Tian, Ding, Wang, Zhao-ping, Chen, Dong-ning, Wang, Sheng-hua
Publikováno v:
2014 IEEE International Conference on Bioinformatics & Biomedicine (BIBM); 2014, p82-85, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2012 International Symposium on Information Technologies in Medicine & Education; 1/ 1/2012, p426-429, 4p
Autor:
Liang, Rong, Yang, Xin-yu, Li Feng, Zhai, Shuang-qing, Ren, Yu-jie, Zhang, Ying, Wang, Zhao-ping
Publikováno v:
2011 International Symposium on IT in Medicine & Education (ITME); 2011, p597-600, 4p
Autor:
Li Guo-Hua, Zong Wan-Hua, Han He-Xiang, Wang Zhao-Ping, Zhang Buo-Rui, Ma Shu-Yi, Qin Guo-Gang, Ma Zhen-Chang
Publikováno v:
Acta Physica Sinica. 47:502
Using a Ge-SiO2 (GSO) composite target with the Ge wafer in the target having percentage areas of 0%,5% and 10%,three types of nanometer Ge particles embedded Si oxide films were deposited on p-type Si substrates by the rf magnetron sputtering techni
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ded40dbacae2cedbd1f3343d6954ae14
https://doi.org/10.7498/aps.47.502
https://doi.org/10.7498/aps.47.502
Autor:
Han He-Xiang, Wang Zhan-Guo, Li Guo-Hua, Dong Jian-Rong, Sun Dian-zhao, Wang Zhao-Ping, Liu Zhen-Xian, Lu Da-Cheng
Publikováno v:
Acta Physica Sinica. 45:1592
The photoluminescence of spontaneously ordered Ga0.5In0.5P alloy has been measured at room temperature and under hydrostatic pressure up to 7GPa. The direct-band gap of three ordered samples is lower than that of disordered sample by 115,92 and 43 me
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::74da98549b5095359496446207006606
https://doi.org/10.7498/aps.45.1592
https://doi.org/10.7498/aps.45.1592
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; Nov1998, Issue 1, p37-41, 5p
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; Nov1992, Issue 1, p369-375, 7p