Zobrazeno 1 - 10
of 84
pro vyhledávání: '"Wang Tie-Shan"'
Publikováno v:
He huaxue yu fangshe huaxue, Vol 45, Iss 1, Pp 48-56 (2023)
In the process of deep geological disposal of high-level radioactive waste, the strong radiation field caused by the decay of radionuclides can lead to the leaching property changes of the waste glass. In this work, the 15 MeV Si ion irradiation was
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cacfc7c1c08745d295606c9f816181f4
Autor:
Zhang, Yanwen, Xue, Haizhou, Zarkadoula, Eva, Sachan, Ritesh, Ostrouchov, Christopher, Liu, Peng, Wang, Xue-lin, Zhang, Shuo, Wang, Tie Shan, Weber, William J.
Publikováno v:
In Current Opinion in Solid State & Materials Science December 2017 21(6):285-298
Publikováno v:
In Chemosphere May 2017 175:161-169
Autor:
Tian, Yuan1,2 (AUTHOR), Wang, Tie‐shan3 (AUTHOR), Bu, He2 (AUTHOR), Shao, Guo4 (AUTHOR), Zhang, Wei5 (AUTHOR), Zhang, Li1 (AUTHOR) zhangli1572@sina.com
Publikováno v:
Orthopaedic Surgery. Apr2022, Vol. 14 Issue 4, p644-651. 8p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Journal of Hazardous Materials 15 November 2013 262:297-303
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Chinese Physics B. 31:056106
Three-dimensional (3D) TCAD simulations demonstrate that reducing the distance between the well boundary and N-channel metal–oxide semiconductor (NMOS) transistor or P-channel metal–oxide semiconductor (PMOS) transistor can mitigate the cross sec
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bb47aedb82a427d74adda5ec5f8a382b
https://doi.org/10.1088/1674-1056/ac3d7e
https://doi.org/10.1088/1674-1056/ac3d7e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.