Zobrazeno 1 - 10
of 40
pro vyhledávání: '"Wang Guifu"'
Autor:
WANG Guifu, LIU Renjie, BAI Dousheng, JIANG Guoqing, ZHANG Chi, WANG Qian, WANG Aoqing, JIN Shengjie
Publikováno v:
Waike lilun yu shijian, Vol 27, Iss 02, Pp 169-172 (2022)
Objective To investigate the diagnosis and treatment of gallstone ileus and improve to recognize gallstone ileus. Methods The clinical data including clinical manifestations, imaging features, and treatment in 12 patients with gallstone ileus admitte
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b94004c7feed46f09ebac2fa3ee2e85a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Liu, Renjie1,2 (AUTHOR), Wang, Guifu1,2 (AUTHOR), Zhang, Chi1 (AUTHOR), Bai, Dousheng1 (AUTHOR) drbaidousheng@163.com
Publikováno v:
World Journal of Surgical Oncology. 3/12/2021, Vol. 19 Issue 1, p1-13. 13p.
Autor:
Chen, Yuan1 (AUTHOR), Wang, Guifu2 (AUTHOR), Xu, Hao1 (AUTHOR), Wang, Hao1 (AUTHOR), Bai, Dousheng3 (AUTHOR)
Publikováno v:
Journal of Oncology. 2/1/2021, p1-14. 14p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Chinese Journal of Chemistry. Nov2017, Vol. 35 Issue 11, p1761-1767. 7p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Mid-infrared Absorption of Femtosecond Laser Microstructured Silicon Formed in Different Gas Ambient
Publikováno v:
Conference on Lasers and Electro-Optics.
We researched the mid-infrared absorption changes of micro-structured silicon prepared in SF6, N2, and NF3, the different changes mainly due to the concentrations of impurities doped in surface layer.