Zobrazeno 1 - 10
of 1 182
pro vyhledávání: '"Wang, W G"'
Magnetic and transport properties are explored in the current perpendicular-to-plane (CPP) spin salves with Cr doped wide band gap semiconductor ZnTe as one of the ferromagnetic electrodes. A negative magnetoresistance is observed in these CPP spin v
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2211.05941
Magnetic tunnel junctions with wide band gap semiconductor ZnTe barrier were fabricated. A very low barrier height and sizable magnetoresistance were observed in the Fe/ZnTe/Fe junctions at room temperature. The nonlinear I-V characteristic curve con
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2210.16727
Autor:
Xu, Meng, Li, Mingen, Khanal, Pravin, Habiboglu, Ali, Insana, Blake, Xiong, Yuzan, Peterson, Thomas, Myers, Jason C., Ortega, Deborah, Qu, Hongwei, Chien, C. L., Zhang, Wei, Wang, Jian-Ping, Wang, W. G.
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 124, 187701, 2020
We demonstrate a voltage-controlled exchange bias effect in CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions that is related to the interfacial Fe(Co)Ox formed between the CoFeB electrodes and the MgO barrier. The unique combination of interfacial antiferro
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2101.11044
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Newhouse-Illige, T., Xu, Y. H., Liu, Y. H., Huang, S., Kato, H., Bi, C., Xu, M., LeRoy, B. J., Wang, W. G.
Perpendicular magnetic tunnel junctions with GdOX tunneling barriers have shown a unique voltage controllable interlayer magnetic coupling effect. Here we investigate the quality of the GdOX barrier and the coupling mechanism in these junctions by ex
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1709.00040
Autor:
Bi, Chong, Liu, Yaohua, Newhouse-Illige, T., Xu, M., Rosales, M., Freeland, J. W., Mryasov, Oleg, Zhang, Shufeng, Velthuis, S. G. E. te, Wang, W. G.
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 113, 267202 (2014)
We demonstrate that magnetic properties of ultra-thin Co films adjacent to Gd2O3 gate oxides can be directly manipulated by voltage. The Co films can be reversibly changed from an optimally-oxidized state with a strong perpendicular magnetic anisotro
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1412.8668
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Newhouse-Illige, T., Xu, Y. H., Liu, Y. H., Huang, S., Kato, H., Bi, C., Xu, M., LeRoy, B. J., Wang, W. G.
Perpendicular magnetic tunnel junctions with GdOX tunneling barriers have shown a unique voltage controllable interlayer magnetic coupling effect. Here, we investigate the quality of the GdOX barrier and the coupling mechanism in these junctions by e
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10150/627087
http://arizona.openrepository.com/arizona/handle/10150/627087
http://arizona.openrepository.com/arizona/handle/10150/627087
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.