Zobrazeno 1 - 10
of 35
pro vyhledávání: '"Wang, Te‐Hsien"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wang, Te-Hsien, 王德賢
99
In this dissertation, we study two types of semiconductor terahertz source. 1. The group-III acceptors in Ge under uniaxial stress. It can radiate terahertz electromagnetic wave through the electric-dipole transitions from the excited to the
In this dissertation, we study two types of semiconductor terahertz source. 1. The group-III acceptors in Ge under uniaxial stress. It can radiate terahertz electromagnetic wave through the electric-dipole transitions from the excited to the
Externí odkaz:
http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/77731285160388819195
Publikováno v:
ACS Applied Materials & Interfaces; 9/4/2024, Vol. 216 Issue 35, p46280-46288, 9p
Publikováno v:
ACS Applied Materials & Interfaces; September 2024, Vol. 16 Issue: 35 p46280-46288, 9p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.