Zobrazeno 1 - 10
of 333
pro vyhledávání: '"Wang, Qingxiao"'
Autor:
Zhou, Jie, Wang, Yifan, Yao, Ziqian, Wang, Qingxiao, Banda, Yara S., Gong, Jiarui, Liu, Yang, Adamo, Carolina, Marshall, Patrick, Lu, Yi, Tsai, Tsung-Han, Li, Yiran, Gambin, Vincent, Ng, Tien Khee, Ooi, Boon S., Ma, Zhenqiang
We report the fabrication and characteristics of GaAs/Si p+/n+ heterojunction tunnel diodes. These diodes were fabricated via grafting the freestanding single-crystalline p-type degenerately doped GaAs (4E19 cm-3) nanomembrane (NM) onto single-crysta
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2409.15789
Autor:
Gong, Jiarui, Kim, Donghyeok, Jang, Hokyung, Alema, Fikadu, Wang, Qingxiao, Ng, Tien Khee, Qiu, Shuoyang, Zhou, Jie, Su, Xin, Lin, Qinchen, Singh, Ranveer, Abbasi, Haris, Chabak, Kelson, Jessen, Gregg, Cheung, Clincy, Gambin, Vincent, Pasayat, Shubhra S., Osinsky, Andrei, Boon, Ooi, S., Gupta, Chirag, Ma, Zhenqiang
The $\beta$-Ga$_2$O$_3$ has exceptional electronic properties with vast potential in power and RF electronics. Despite the excellent demonstrations of high-performance unipolar devices, the lack of p-type doping in $\beta$-Ga$_2$O$_3$ has hindered th
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2305.19138
Autor:
Zheng, Dongxing, Li, Yan, Liu, Chen, Lan, Jin, Jin, Chao, Wang, Qingxiao, Zhang, Linxing, Xi, Guoqiang, Fang, Bin, Zhang, Chenhui, Algaidi, Hanin, Chen, Aitian, Liu, Xiang, Yin, Gen, Xu, Zijian, Xiao, John Q., Manchon, Aurélien, Zhang, Xixiang
Publikováno v:
In Matter 2 October 2024 7(10):3489-3499
Autor:
Zhou, Jie, Gong, Jiarui, Sheikhi, Moheb, Dheenan, Ashok, Wang, Qingxiao, Abbasi, Haris, Liu, Yang, Adamo, Carolina, Marshall, Patrick, Wriedt, Nathan, Cheung, Clincy, Li, Yiran, Qiu, Shuoyang, Li, Xiaohang, Khee Ng, Tien, Gan, Qiaoqiang, Gambin, Vincent, Ooi, Boon S., Rajan, Siddharth, Ma, Zhenqiang
Publikováno v:
In Applied Surface Science 1 August 2024 663
Autor:
Liu, Xiuqiao, Li, Hangren, Zheng, Dongxing, Tu, Jie, Xi, Guoqiang, Liu, Xudong, Wu, Rong, Lu, Dongfei, Wang, Qingxiao, Zhang, Xixiang, Tian, Jianjun, Zhang, Linxing
Publikováno v:
In Nano Today December 2024 59
Autor:
Qin, Jing-Kai, Liao, Pai-Ying, Si, Mengwei, Gao, Shiyuan, Qiu, Gang, Jian, Jie, Wang, Qingxiao, Zhang, Si-Qi, Huang, Shouyuan, Charnas, Adam, Wang, Yixiu, Kim, Moon J., Wu, Wenzhuo, Xu, Xianfan, Wang, Hai-Yan, Yang, Li, Yap, Yoke Khin, Ye, Peide D.
Tellurium can form nanowires of helical atomic chains. Given their unique one-dimensional van der Waals structure, these nanowires are expected to show remarkably different physical and electronic properties than bulk tellurium. Here we show that few
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2001.05539
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Pang, Chin-Sheng, Hung, Terry Y. T., Khosravi, Ava, Addou, Rafik, Wang, Qingxiao, Kim, Moon J., Wallace, Robert M., Chen, Zhihong
Publikováno v:
Adv. Electron. Mater. 2020, 1901304
Two-dimensional transitional metal dichalcogenide (TMD) field-effect transistors (FETs) are promising candidates for future electronic applications, owing to their excellent transport properties and potential for ultimate device scaling. However, it
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1910.08619