Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Wan Xu-Dong"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Feng Gao-Ming, Zhong Min, WU Guangping, Chen Xiao-Gang, Wang Liang-Yong, Yang Zuo-Ya, Chen Bomy, Chen Yifeng, Liu Bo, Xie Zhifeng, Wan Xu-Dong, Song Zhi-Tang, Xu Chen
Publikováno v:
Procedia Engineering. 16:401-406
In order to reduce the RESET current of phase change memory (PCM), which is fabricated using standard 0.13-μm CMOS technology, we have investigated various process factors that might affect the phase transition process, including doping concentratio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4690a6ab8b156d63db9e3a809c839d57
https://doi.org/10.1016/j.proeng.2011.08.1102
https://doi.org/10.1016/j.proeng.2011.08.1102
Publikováno v:
Web of Science
In order to improve the reliability of C-RAM devices, a seamless sub-micro W heating electrode in diameter 260 nm is fabricated with standard 0.18 μm CMOS processing line. Then we successfully manufacture a chalcogenide random access memory device u
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::de1c47edb26173dbd45cb7575b3b0f91
https://doi.org/10.1088/0256-307x/25/6/100
https://doi.org/10.1088/0256-307x/25/6/100
Autor:
Wan Xu-Dong, Yang Zuo-Ya, Chen Bomy, Chen Yifeng, Xie Joseph, Liang Shuang, Xu Cheng, Feng Song-Lin, Song Zhi-Tang, Liu Bo
Publikováno v:
Web of Science
A Ge2Sb2Te5 based phase change memory device cell integrated with metal-oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) is fabricated using standard 0. 18 μm complementary metal-oxide semiconductor process technology. It shows steady switching
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6dfc5ffbd52b5bd339e861aa39be2b4f
https://doi.org/10.1088/0256-307x/25/5/088
https://doi.org/10.1088/0256-307x/25/5/088
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Advanced Materials Research; September 2013, Vol. 765 Issue: 1 p2988-2991, 4p
Publikováno v:
Applied Mechanics and Materials; August 2013, Vol. 361 Issue: 1 p691-696, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.