Zobrazeno 1 - 10 of 92 pro vyhledávání: '"Wallis DJ"'
1
Cubic GaN and InGaN/GaN quantum wells
Autor: Binks, DJ, Dawson, P, Oliver, RA, Wallis, DJ
LEDs based on hexagonal InGaN/GaN quantum wells are dominant technology for many lighting applications. However, their luminous efficacy for green and amber emission and at high drive currents remains limited. Growing quantum wells instead in the cub
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f7d7959e94238985950721f6382a8742
Zobrazit plný text záznamu
2
Influence of AlxGa1-xN nucleation layers on MOVPE-grown zincblende GaN epilayers on 3C-SiC/Si(001)
Autor: Gundimeda, A, Rostami, M, Frentrup, M, Hinz, A, Kappers, MJ, Wallis, DJ, Oliver, RA
The suitability of Al x Ga1−x N nucleation layers (NLs) with varying Al fraction x for the metal organic vapour phase epitaxy of zincblende GaN on (001) 3C-SiC was investigated, using x-ray photoelectron spectroscopy, atomic force microscopy, and x
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______109::890dcf61132cf3d661d3681a8dbaa1fb
https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/333557
Zobrazit plný text záznamu
3
Multimicroscopy of cross-section zincblende GaN LED heterostructure
Autor: Ding, B, Frentrup, M, Fairclough, SM, Kusch, G, Kappers, MJ, Wallis, DJ, Oliver, RA
Zincblende GaN has the potential to bridge the “green gap” due to the absence of internal electric fields with respect to wurtzite GaN. However, at present, the quality of zincblende GaN light emitting diodes (LEDs) is not yet sufficient for usef
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e15f565646ce982c2ab3c8d80555e914
https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/328211
Zobrazit plný text záznamu
4
Effect of growth temperature and V/III-ratio on the surface morphology of MOVPE-grown cubic zincblende GaN
Autor: Lee, LY, Frentrup, M, Kappers, MJ, Oliver, RA, Humphreys, CJ, Wallis, DJ
The influence of growth temperature and V/III-ratio on the surface morphology of (001) cubic zincblende GaN epilayers during metal organic vapour phase epitaxy growth has been investigated using atomic force microscopy and transmission electron micro
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::31627f91f879eb9db03d02858691a2f6
Zobrazit plný text záznamu
6
Characterization of p-GaN$_{1−x}$ As$_{x}$/n-GaN PN junction diodes
Autor: Qian, H, Lee, KB, Vajargah, SH, Novikov, SV, Guiney, I, Zhang, S, Zaidi, ZH, Jiang, S, Wallis, DJ, Foxon, CT, Humphreys, CJ, Houston, PA
The structural properties and electrical conduction mechanisms of p-type amorphous GaN$_{1−x}$ As$_{x}$ /n-type crystalline GaN PN junction diodes are presented. A hole concentration of 8.5 × 10$^{19}$ cm$^{-3}$ is achieved which allows a specific
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::954c2a558f2a62b28f39c74e4ed90263
https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/263985
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje