Zobrazeno 1 - 10
of 127
pro vyhledávání: '"Wallis, David J"'
Autor:
Ghosh, Saptarsi, Frentrup, Martin, Hinz, Alexander M., Pomeroy, James W., Field, Daniel, Wallis, David J., Kuball, Martin, Oliver, Rachel A.
Thick metamorphic buffers are perceived to be indispensable for the heteroepitaxial integration of III-V semiconductors on silicon substrates with large thermal expansion and lattice mismatches. However, III-nitride buffers in conventional GaN-on-Si
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2407.09723
Autor:
Cuenca, Jerome A., Smith, Matthew D., Field, Daniel E., Massabuau, Fabien C-P., Mandal, Soumen, Pomeroy, James, Wallis, David J., Oliver, Rachel A., Thayne, Iain, Kuball, Martin, Williams, Oliver A.
Publikováno v:
Carbon 174, 647-661 (2021)
Diamond heat-spreaders for gallium nitride (GaN) devices currently depend upon a robust wafer bonding process. Bonding-free membrane methods demonstrate potential, however, chemical vapour deposition (CVD) of diamond directly onto a III-nitride (III-
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2102.09664
Autor:
Hinz, Alexander M., Ghosh, Saptarsi, Fairclough, Simon M., Griffiths, James T., Kappers, Menno J., Oliver, Rachel A., Wallis, David J.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 15 December 2023 624
Autor:
Chen, Chen, Ghosh, Saptarsi, Adams, Francesca, Kappers, Menno J., Wallis, David J., Oliver, Rachel A.
Publikováno v:
In Ultramicroscopy December 2023 254
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mandal, Soumen, Thomas, Evan L. H., Middleton, Callum, Gines, Laia, Griffiths, James, Kappers, Menno, Oliver, Rachel, Wallis, David J., Goff, Lucy E., Lynch, Stephen A., Kuball, Martin, Williams, Oliver A.
Measurement of zeta potential of Ga and N-face gallium nitride has been carried out as function of pH. Both the faces show negative zeta potential in the pH range 5.5-9. The Ga face has an isoelectric point at pH 5.5. The N-face shows higher negative
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1707.05410
Autor:
Xiu, Huixin, Fairclough, Simon M., Gundimeda, Abhiram, Kappers, Menno J., Wallis, David J., Oliver, Rachel A., Frentrup, Martin
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 3/14/2023, Vol. 133 Issue 10, p1-7, 7p
Autor:
Sun, Chao, Wu, Fangda, Fu, Yongqing, Wallis, David J., Mikhaylov, Roman, Yuan, Fan, Liang, Dongfang, Xie, Zhihua, Wang, Hanlin, Tao, Ran, Shen, Ming Hong, Yang, Jian, Xun, Wenpeng, Wu, Zhenlin, Yang, Zhiyong, Cang, Huaixing, Yang, Xin
Publikováno v:
In Ultrasonics December 2020 108
Autor:
Shu, Ruiying, Oliver, Rachel A, Frentrup, Martin, Kappers, Menno J, Xiu, Helen, Kusch, Gunnar, Wallis, David J, Hofer, Christina, Bagot, Paul A J, Moody, Michael P
Publikováno v:
Microscopy & Microanalysis; 2024 Supplement, Vol. 30, p1-4, 4p