Zobrazeno 1 - 10
of 723
pro vyhledávání: '"Wallace, Robert M."'
Autor:
Vera, Alexander, Zheng, Boyang, Yanez, Wilson, Yang, Kaijie, Kim, Seong Yeoul, Wang, Xinglu, Kotsakidis, Jimmy C., El-Sherif, Hesham, Krishnan, Gopi, Koch, Roland J., Bowen, T. Andrew, Dong, Chengye, Wang, Yuanxi, Wetherington, Maxwell, Rotenberg, Eli, Bassim, Nabil, Friedman, Adam L., Wallace, Robert M., Liu, Chaoxing, Samarth, Nitin, Crespi, Vincent H., Robinson, Joshua A.
Publikováno v:
ACS Nano 2024, 18, 33, 21985-21997
A scalable platform to synthesize ultrathin heavy metals may enable high efficiency charge-to-spin conversion for next-generation spintronics. Here we report the synthesis of air-stable, epitaxially registered monolayer Pb underneath bilayer graphene
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2205.06859
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Pang, Chin-Sheng, Hung, Terry Y. T., Khosravi, Ava, Addou, Rafik, Wang, Qingxiao, Kim, Moon J., Wallace, Robert M., Chen, Zhihong
Publikováno v:
Adv. Electron. Mater. 2020, 1901304
Two-dimensional transitional metal dichalcogenide (TMD) field-effect transistors (FETs) are promising candidates for future electronic applications, owing to their excellent transport properties and potential for ultimate device scaling. However, it
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1910.08619
Autor:
Mleczko, Michal J., Yu, Andrew C., Smyth, Christopher M., Chen, Victoria, Shin, Yong Cheol, Chatterjee, Sukti, Tsai, Yi-Chia, Nishi, Yoshio, Wallace, Robert M., Pop, Eric
Publikováno v:
Nano Letters (2019)
Semiconducting MoTe2 is one of the few two-dimensional (2D) materials with a moderate band gap, similar to silicon. However, this material remains under-explored for 2D electronics due to ambient instability and predominantly p-type Fermi level pinni
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1907.02587
Autor:
Lo, Chun-Li, Catalano, Massimo, Khosravi, Ava, Ge, Wanying, Ji, Yujin, Zemlyanov, Dmitry Y., Wang, Luhua, Addou, Rafik, Liu, Yuanyue, Wallace, Robert M., Kim, Moon J., Chen, Zhihong
The interconnect half-pitch size will reach ~20 nm in the coming sub-5 nm technology node. Meanwhile, the TaN/Ta (barrier/liner) bilayer stack has to be > 4 nm to ensure acceptable liner and diffusion barrier properties. Since TaN/Ta occupy a signifi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1901.08143
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.