Výsledky vyhledávání

Akademický článek

Stabilization of sputtered AlN/sapphire templates during high temperature annealing

Autor: Hagedorn, S., Walde, S., Mogilatenko, A., Weyers, M., Cancellara, L., Albrecht, M., Jaeger, D.

Publikováno v: In Journal of Crystal Growth 15 April 2019 512:142-146

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Formation of voids and their role in the recovery of sputtered AlN during high-temperature annealing.

Autor: Cancellara, L., Hagedorn, S., Walde, S., Jaeger, D., Albrecht, M.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/7/2022, Vol. 131 Issue 21, p1-11, 11p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Impact of Si doping on dislocation behavior in MOVPE-grown AlN on high-temperature annealed AlN buffer layers.

Autor: Mogilatenko, A., Walde, S., Hagedorn, S., Netzel, C., Huang, C.-Y., Weyers, M.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/28/2022, Vol. 131 Issue 4, p1-7, 7p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Studies on effect of multigrain use in the preparation of Litti/ Baati: A traditional food of Northern part of India (UP, Jharkhand and Bihar).

Autor: Walde, S. G., Verma, Shivangi, Khan, Mahejibin, Mishra, B. N.

Publikováno v: Journal of Food Science & Technology; Feb2023, Vol. 60 Issue 2, p528-537, 10p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Impact of open-core threading dislocations on the performance of AlGaN metal-semiconductor-metal photodetectors.

Autor: Walde, S., Brendel, M., Zeimer, U., Brunner, F., Hagedorn, S., Weyers, M.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 123 Issue 16, pN.PAG-N.PAG, 4p, 2 Diagrams, 3 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Shorebird Predation May Cause Discrete Generations in an Amphipod Prey

Autor: Matthews, S. L., Boates, J. S., Walde, S. J.

Publikováno v: Ecography, 1992 Oct 01. 15(4), 393-400.

Externí odkaz: https://www.jstor.org/stable/3682992

Zobrazit plný text záznamu

Improving AlN crystal quality and strain management on nano patterned sapphire substrates by high temperature annealing for UVC LEDs

Autor: Hagedorn, S., Walde, S., Susilo, N., Netzel, C., Tillner, N., Unger, R. S., Manley, P., Ziffer, E., Wernicke, T., Becker, C., Lugauer, H. J., Kneissel, M., Weyers, M.

In this study, AlN growth by metalorganic vapor phase epitaxy on hole type nano patterned sapphire substrates is investigated. Cracking occurs for an unexpectedly thin layer thickness which is associated to altered nucleation conditions caused by the

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3680::7f6dd6e56d603078e6a8daeb579aed6e
http://www.helmholtz-berlin.de/pubbin/oai_publication?VT=1&ID=100653

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání