Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"Wakrim, Tariq"'
Autor:
Wakrim, Tariq
Les mémoires résistives ReRAM (ou memristors) sont destinées à remplacer les mémoires non volatiles Flash. Les ReRAM utilisent le changement de résistance d’une structure MIM (Métal-Isolant-Métal) soumise à un stress en tension. Jusqu’à
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2018GREAT085/document
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wakrim, Tariq
Publikováno v:
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2018. Français. ⟨NNT : 2018GREAT085⟩
Resistive random access memories (ReRAM) hold great potential for replacing Flash memories. A ReRAM memory (or MEMRISTOR) uses a resistive switching phenomenon found in Metal-Insulator-Metal (MIM) structures under a voltage stress. Most researches we
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::897c17253f26831087bd8177376123e7
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-02100738/file/WAKRIM_2018_diffusion.pdf
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-02100738/file/WAKRIM_2018_diffusion.pdf