Zobrazeno 1 - 10
of 231
pro vyhledávání: '"Wager, John F."'
Publikováno v:
Advanced Functional Materials, 2300742, 2023
Under varying growth and device processing conditions, ultrabroadband photoconduction (UBPC) reveals strongly evolving trends in the defect density of states (DoS) for amorphous oxide semiconductor thin-film transistors (TFTs). Spanning the wide band
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2301.08196
Within the subgap of amorphous oxide semiconductors like amorphous indium gallium zinc oxide (a-IGZO) are donor-like and acceptor-like states that control the operational physics of optically transparent thin-film transistors (TFTs). Hydrogen incorpo
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2111.08588
Autor:
Vogt, Kyle T., Malmberg, Christopher E., Buchanan, Jacob C., Mattson, George W., Brandt, G. Mirek, Fast, Dylan B., Cheong, Paul H. -Y., Wager, John F., Graham, Matt W.
Publikováno v:
Phys. Rev. Research 2, 033358 (2020)
The sub-gap density of states of amorphous indium gallium zinc oxide ($a$-IGZO) is obtained using the ultrabroadband photoconduction (UBPC) response of thin-film transistors (TFTs). Density functional theory simulations classify the origin of the mea
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1910.06264
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Journal of Solid State Chemistry June 2019 274:337-351
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 3/14/2022, Vol. 131 Issue 10, p1-9, 9p